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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Country of AssemblyJAPAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms)5
IFLH (Max) (mA)5
IOL/IOH (Peak) (A)2
Lead CompliantYes
Longevity2030 12月
MOQ20
Price (USD)$2.8485
Tape & ReelNo
Target applicationsIGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter
VCC-VEE (Max) (V)35
tPHL (Max) (μs)0.25
tPLH (Max) (μs)0.25

説明

新規ご採用につきましては推奨いたしません。

PS9308L, PS9308L2 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。 PS9308L, PS9308L2 は既存の 8 ピン DIP に比べ,実装面積が約 50%減少となる 6 ピン SDIP パッケージを採用しています。 高耐ノイズ (高 CMR),高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。 PS9308L は,表面実装用リード・フォーミング品です。 PS9308L2 は,長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。