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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • 沿面距離が長い (8 mm MIN.:PS9307AL2)
  • 8 ピン DIP に比べ実装面積約 50%削減
  • 出力ピーク電流 (0.6 A MAX., 0.4 A MIN.)
  • 高速スイッチング (tPLH, tPHL = 150 ns MAX.)
  • 瞬時同相除去電圧が高い (CMH, CML = ±50 kV/μs MIN.)
  • 動作周囲温度 (125 ℃)
  • エンボス・テーピング対応品:PS9307AL-E3, PS9307AL2-E3:2 000 個/リール
  • 鉛フリー対応品
  • 海外安全規格
    UL 認定品:No. E72422
    CSA 認定品:No. CA 101391 (CA5A, CAN/CSA-C22.2 60065, 60950)
    SEMKO 認定品 (EN 60065, EN 60950)
    DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884-5) 認定品 (オプション対応いたします)

説明

PS9307AL, PS9307AL2 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
PS9307AL, PS9307AL2 は既存の 8 ピン DIP に比べ,実装面積が約 50%減少となる 6 ピン SDIP パッケージを採用しています。
高耐ノイズ (高 CMR),高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。
PS9307AL は,表面実装用リード・フォーミング品です。
PS9307AL2 は,長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。

パラメータ

属性
Parametric SubcategoryIGBT Drive
Channels (#)1
Peak Output Current IPK (A)0.6
Supply Voltage (V)10 - 30
Isolation Voltage (Vrms)5000
DC IFLH max. (mA)5
SW tPLH, tPHL max. (ns)150
SW PWD max. (ns)50
SW PDD max. (ns)80
CMTI min. (kV/µs)50
UVLONo
CLAMPNo
DesatNo
Creepage Distance (mm)7
Safety Standard UL (UL1577)Approved
Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5)Approved
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1)Approved
型名状態サンプル長期供給在庫パッケージ参考価格(米ドル)Moisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) FreeCountry of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
PS9307AL-AXActiveAvailable2030 Dec在庫ありPackage1ku | $2.9211YesJAPANJAPAN
PS9307AL-E3-AXActiveN/A2031 Dec在庫ありPackage1ku | $1.11YesJAPANJAPAN
PS9307AL-V-AXActiveAvailable2030 Dec在庫ありPackage1ku | $2.9581YesJAPANJAPAN
PS9307AL-V-E3-AXActiveN/A2031 Dec在庫ありPackage1ku | $1.1121YesJAPANJAPAN
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