特長
- 超低オン抵抗 RDS(on) = 最大4.8mΩ（VGS = -10 V、ID = 38A）RDS(on) = 最大8.3mΩ（VGS = 4.5 V、 ID = 38A）
- ロジックレベル駆動型
- ゲート・ソース間ESD保護ダイオード内蔵
- 車載用に設計され、AEC-Q101認定済み
説明
NP75N04YLGは大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたNチャネルMOS電界効果トランジスタです。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 40 |
| ID (A) | 75 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 4.8 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 8.3 |
| Pch (W) | 138 |
| Ciss (Typical) (pF) | 4300 |
| Qg typ (nC) | 77 |
| Series Name | NP Series |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| HSON | 5 x 5 x 1.45 | 8 |
適用されたフィルター