概要
説明
NP30N04QUK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance RDS(on) = 8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A)
- Low Ciss: Ciss = 1600 pF TYP. (VDS = 25 V)
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
- Small size package 8-pin HSON dual
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 697 KB | |
| カタログ | PDF 13.27 MB English | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB English | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 222 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
8件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。
サポート
よくあるご質問
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FAQ 1006114 : パワーMOSFETのNP30N04QUKは2素子入りですが、絶対最大定格ドレイン電流30Aは2素子トータルのことですか？
いいえ、違います。絶対最大定格ドレイン電流30Aは1素子の定格です。 適用製品 パワーMOSFET 一般スイッチング用パワーMOSFET 英語版へ 中国語版へ
1970年1月1日