特長
- 超低オン抵抗 RDS(on)1 = 最大40 mΩ（VGS = -10 V, ID = -7.5 A）RDS(on)2 = 最大60 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -7.5 A）
- 低入力容量 Ciss = 1100 pF (標準)
- ゲート保護ダイオード内蔵
説明
NP15P04SLGは大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャネルMOS電界効果トランジスタです。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Pch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TO-252 / DPAK |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | -40 |
| ID (A) | -15 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 40 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 60 |
| Pch (W) | 30 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1100 |
| Qg typ (nC) | 23 |
| Series Name | NP Series |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| MP-3ZK | 6 x 6 x 2.65 | 3 |
アプリケーション・ブロック図
 | モータジェネレータシステム ASIL Cサポート、ロックステップCPU、BOMコストの削減を備えた高性能xEVモータ制御設計。 |