特長
- 独自のフェーズ・ダブラー方式とフェーズ・シェディング機能(特許出願中)
- 軽負荷から全負荷までの効率向上
- 2倍または4倍の位相数
- DCR電流センシングとゲイン調整可能なカレントバランシング (特許取得済)
- 電流監視出力(IOUT)により、システムインターフェイスとレイアウトを簡素化
- モード選択のための3レベルイネーブル入力
- 1つのPWM入力で2つの同期整流ブリッジを駆動するデュアルPWM出力機能
- チャンネル同期と2つのインターリーブ・オプション
- 出力段シャットダウン用トライステートPWM入出力
- フェーズ・イネーブル入力とPWM強制High出力により、ルネサスのフェーズ・シェディング用コントローラに接続可能
- 過電圧保護機能
- デュアルフラットノーリード(DFN)パッケージ
- チップスケールパッケージに近いフットプリント、PCB利用率の向上、薄型化
- 鉛フリー(RoHS対応)
説明
ISL6617は独自のフェーズ・ダブラー方式を採用し、1つのPWM入力で2相の電力系統を変調します。これにより、多相コントローラISL63xxがサポートできる相数を2倍に増やすことができます。イネーブルピン(EN_PH_SYNC)がLowになると、PWM入力はHighになるので、一部のルネサスコントローラ(VR10、VR11、VR11.1、VR12ファミリー)では、PWMラインをHighにすることでそれぞれの上位フェーズを無効にでき、フェーズ・シェディングの実装が簡単になります。ISL6617は、高位相数のスケーラブル・アプリケーションにおいて、コントローラとドライバ間のインタフェースとなるアナログ信号の数を最小限に抑えるように設計されています。従来のカスケード構成に見られる共通のCOMP信号が不要なため、ノイズ耐性が向上し、レイアウトが簡素化されます。さらに、従来のカスケード接続技術に比べ、部品点数が少なく、低コストという利点があります。ISL6617をもう1つのISL6617またはISL6611Aとカスケード接続することで、多相コントローラISL63xxがサポートできる相数を4倍に増やすことができます。また、ISL6617はハイインピーダンス状態を認識するトライステート入出力を備えており、多相PWMコントローラやドライバ段と連携して、動作停止時に制御出力電圧の負の過渡現象を防止します。この機能により、電源システムで過度の負の出力電圧によるダメージから負荷を保護するために利用されるショットキーダイオードが不要になります。
アプリケーション
- 大電流・低電圧DC/DCコンバーター
- 高周波・高効率VRM/VRD
- 高位相カウントとフェーズ・シェディングアプリケーション
- 5V PWM入力内蔵パワーステージまたはDrMOS
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | Temp. Range (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL6617CRZ | Obsolete | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | DFN | 10# | Tube | 3 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | 0 to +70°C |
| ISL6617CRZ-T | Obsolete | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | DFN | 10# | Reel | 3 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | 0 to +70°C |
| ISL6617IRZ | Obsolete | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | DFN | 10# | Tube | 3 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C |
| ISL6617IRZ-T | Obsolete | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | DFN | 10# | Reel | 3 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C |
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- 製品変更通知英語PDF 326 KB 2021年5月21日
- 製品変更通知英語PDF 158 KB PCN21005 2021年1月25日
- 製品変更通知英語PDF 248 KB PCN10055 2010年6月30日
- アプリケーションノート英語PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
- アプリケーションノート英語PDF 576 KB an1116 2004年1月05日AI生成コンテンツ: The document details various CMOS driver circuits including a self-powered DC stable 100V half bridge driver using EL7972 and EL7501, an IGBT half bridge driver with EL7981, and a self-oscillating IGBT driver operating at 25kHz. It also covers a 40W 12V synchronous step-down regulator using EL7761, a simple undervoltage lockout circuit using zener diodes, and a video sync pulse generator with EL7501. Additionally, it explains a resonant gate driver circuit that boosts gate voltage swing and improves efficiency by using external diodes and inductors.
- その他資料英語PDF 293 KB tb363 2018年5月04日
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- アプリケーションノート英語PDF 576 KB an1116 2004年1月05日AI生成コンテンツ: The document details various CMOS driver circuits including a self-powered DC stable 100V half bridge driver using EL7972 and EL7501, an IGBT half bridge driver with EL7981, and a self-oscillating IGBT driver operating at 25kHz. It also covers a 40W 12V synchronous step-down regulator using EL7761, a simple undervoltage lockout circuit using zener diodes, and a video sync pulse generator with EL7501. Additionally, it explains a resonant gate driver circuit that boosts gate voltage swing and improves efficiency by using external diodes and inductors.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (3)
- 製品変更通知英語PDF 326 KB 2021年5月21日
- 製品変更通知英語PDF 158 KB PCN21005 2021年1月25日
- 製品変更通知英語PDF 248 KB PCN10055 2010年6月30日
製品通知(PCN、EOLなど) (3)
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