パッケージ情報
| Pitch (mm) | 1.27 |
| Lead Count (#) | 8 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 4.9 x 3.9 x 1.5 |
| Pkg. Code | MBY |
| Pkg. Type | SOICN |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8542.39.0090 |
| RoHS (ISL2111ABZ-T) | ダウンロード |
製品スペック
| Lead Count (#) | 8 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pitch (mm) | 1.3 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 4.9 x 3.9 x 0.00 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| Temp. Range | -40 to +125°C |
| Country of Assembly | China |
| Country of Wafer Fabrication | United States |
| Price (USD) | 6.31 |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 114 |
| Charge Pump | No |
| Fall Time | 7.5 |
| Input Logic Level | 3.3V/TTL |
| Length (mm) | 4.9 |
| MOQ | 2500 |
| Parametric Category | Half-Bridge FET Drivers |
| Peak Pull-down Current (A) | 4 |
| Peak Pull-up Current (A) | 3 |
| Pkg. Type | SOICN |
| Qualification Level | Standard |
| Rise Time (μs) | .009 |
| Thickness (mm) | 0.00 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 32 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 38 |
| VBIAS (Max) (V) | 14 |
| Width (mm) | 3.9 |
ISL2111 に関するリソース
説明
ISL2110, ISL2111は100V耐圧、高周波、ハーフブリッジのNチャンネルパワーMOSFETドライバICで、好評のハーフブリッジドライバHIP2100、HIP2101をベースに性能を向上させています。ピーク出力プルアップ/プルダウン電流は3A/4Aに増加してスイッチング電源の損失を大幅に低減し、多くのアプリケーションで外付けトーテムポールバッファが不要になりました。また、VDD動作電源範囲の下限が8VDCに拡張されました。ISL2110はノイズの多い環境で優れた動作を実現するために入力ヒステリシスを追加し、ISL2111の入力はISL2110と同様にVDD電源レールまで安全にスイングできるようになりました。