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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
100V, 3A/4A (ピーク), 高周波ハーフブリッジドライバ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SOICN
Pkg. Code:MBY
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):4.9 x 3.9 x 0.00
Pitch (mm):1.3

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (ISL2111ABZ-T)ダウンロード

製品スペック

Lead Count (#)8
Carrier TypeReel
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pitch (mm)1.3
Pkg. Dimensions (mm)4.9 x 3.9 x 0.00
Pb (Lead) FreeYes
Pb Free CategoryPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3
Temp. Range (°C)-40 to +125°C
Country of AssemblyCHINA
Country of Wafer FabricationUSA
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V)114
Charge PumpNo
Fall Time7.5
Input Logic Level3.3V/TTL
Length (mm)4.9
MOQ2500
Parametric CategoryHalf-Bridge FET Drivers
Peak Pull-down Current (A)4
Peak Pull-up Current (A)3
Pkg. TypeSOICN
Price (USD)$6.31
Qualification LevelStandard
Rise Time (μs)0.009
Turn-Off Prop Delay (ns)32
Turn-On Prop Delay (ns)38
VBIAS (Max) (V)14
Width (mm)3.9

説明

ISL2110, ISL2111は100V耐圧、高周波、ハーフブリッジのNチャンネルパワーMOSFETドライバICで、好評のハーフブリッジドライバHIP2100、HIP2101をベースに性能を向上させています。ピーク出力プルアップ/プルダウン電流は3A/4Aに増加してスイッチング電源の損失を大幅に低減し、多くのアプリケーションで外付けトーテムポールバッファが不要になりました。また、VDD動作電源範囲の下限が8VDCに拡張されました。ISL2110はノイズの多い環境で優れた動作を実現するために入力ヒステリシスを追加し、ISL2111の入力はISL2110と同様にVDD電源レールまで安全にスイングできるようになりました。