特長
- Electrically Screened to SMD # 5962-95631
- QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
- 1.2 Micron radiation hardened CMOS
- Total dose: Up to 300kRAD(Si)
- Latch-up free
- EIA RS-422 compatible outputs
- Operation with TTL based on VIH = VDD/2
- Input fail safe circuitry
- High impedance inputs when disabled or powered down
- Low power dissipation standby (Max): 138mW
- Single 5V supply
- Full Military temperature range: -55°C to +125°C
説明
The Intersil HS-26CT32RH, HS-26CT32EH are differential line receivers designed for digital data transmission over balanced lines and meets the requirements of EIA standard RS-422. Radiation hardened CMOS processing assures low power consumption, High-Speed, and reliable operation in the most severe radiation environments. The HS-26CT32RH, HS-26CT32EH have an input sensitivity typically of 200mV over the common mode input voltage range of ±7V. The receivers are also equipped with input fail safe circuitry, which causes the outputs to go to a logic “1” when the inputs are open. Enable and Disable functions are common to all four receivers. Specifications for Rad Hard QML devices are controlled by the Defense Logistics Agency Land and Maritime (DLA). The SMD numbers listed in the “Ordering Information” must be used when ordering. Detailed Electrical Specifications for these devices are contained in SMD 5962-95631.
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Rating | Space |
| Input High Voltage Range | VDD to VDD/2 |
| Input Low Voltage Range | 0 to 0.8 |
| Output High Voltage (V) | VDD/2 |
| Output Low Voltage (V) | 0.8 |
| Supply Voltage (min) (V) | 4.5 - 4.5 |
| Supply Voltage (max) (V) | 5.5 - 5.5 |
| Temp. Range (°C) | -55 to +125°C |
| TID HDR (krad(Si)) | 100, 300 |
| DSEE (MeV·cm2/mg) | 100 |
| Flow | RH Hermetic |
| Qualification Level | Class Q, Class T, Class V, EM |
| Die Sale Availability? | Yes |
| PROTO Availability? | Yes |
アプリケーション
- Line Receiver for MIL-STD-1553 Serial Data Bus
- Line Receiver for RS422
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pkg. Dimensions (mm) | Pitch (mm) | DLA SMD | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | MOQ | Temp. Range (°C) | CAGE code |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HS1-26CT32RH-8 | Active | N/A | Out of Stock | SBDIP | 16# | Tube | Not Applicable | 20.3 x 7.5 x 2.41 | 2.5mm | 5962F9563101QEC | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | -55 to +125°C | 34371 |
| HS1-26CT32RH-Q | Active | N/A | Out of Stock | SBDIP | 16# | Tube | Not Applicable | 20.3 x 7.5 x 2.41 | 2.5mm | 5962F9563101VEC | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | -55 to +125°C | 34371 |
| HS1-26CT32RH-T | Active | N/A | Out of Stock | SBDIP | 16# | 7 x 20 x 5.08 | 2.54mm | 5962R9563101TEC | Yes | 450 | -55 to +125°C | 34371 | |||
| HS1-26CT32RH/PROTO | Active | Available | Out of Stock | SBDIP | 16# | Tube | Not Applicable | 20.3 x 7.5 x 2.41 | 2.5mm | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 1 | -55 to +125°C | 34371 | |
| HS9-26CT32RH-8 | Active | N/A | In Stock | CFP | 16# | Tray | Not Applicable | 10.4 x 6.9 x 0.00 | 1.3mm | 5962F9563101QXC | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | -55 to +125°C | 34371 |
| HS9-26CT32RH-Q | Active | N/A | In Stock | CFP | 16# | Tray | Not Applicable | 10.4 x 6.9 x 0.00 | 1.3mm | 5962F9563101VXC | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | -55 to +125°C | 34371 |
| HS9-26CT32RH-T | Active | N/A | Out of Stock | CFP | 16# | 7 x 10 x 2.92 | 1.27mm | 5962R9563101TXC | Yes | 450 | -55 to +125°C | 34371 | |||
| HS9-26CT32RH/PROTO | Active | Available | In Stock | CFP | 16# | Tray | Not Applicable | 10.4 x 6.9 x 0.00 | 1.3mm | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 1 | -55 to +125°C | 34371 | |
| HS9G-26CT32RH-Q | Active | N/A | Out of Stock | CFP | 16# | Tray | Not Applicable | 10.4 x 6.9 x 0.00 | 1.3mm | 5962F9563101VYC | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | -55 to +125°C | 34371 |
| HS9G-26CT32RH/PROTO | Active | Available | Out of Stock | CFP | 16# | Tray | Not Applicable | 10.4 x 6.9 x 0.00 | 1.3mm | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 1 | -55 to +125°C | 34371 |
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- アプリケーションノート英語PDF 972 KB an9520 2025年9月03日
- アプリケーションノート英語PDF 317 KB R34AN0012EU0100 Rev.1.00 2025年6月02日
- トレーニング英語PDF 719 KB R15TB0008EU0100 Rev.1.00 2023年12月18日
- トレーニング英語PDF 762 KB R15TB0007EU0100 Rev.1.00 2023年12月04日
- トレーニング英語PDF 208 KB R15TB0004EU0100 Rev.1.00 2023年10月26日
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- トレーニング英語PDF 239 KB R15TB0002EU0100 Rev.1.00 2023年6月21日
- アプリケーションノート英語PDF 366 KB R15AN0011EU0100 Rev.1.00 2022年5月17日AI生成コンテンツ: This document provides detailed guidance on RS-485 transceiver design and application. It covers key topics such as design checklists, interfacing 5V transceivers with 3V controllers, mixing 3.3V and 5V transceivers on the same bus, and using high-speed transceivers at lower data rates. It explains maximum stub lengths, wiring differential inputs to accept single-ended signals, and proper bus termination. The document also discusses transient protection methods and highlights the benefits of specific transceiver models. Practical formulas and diagrams support implementation and troubleshooting in RS-485 networks.
- レポート英語PDF 438 KB R15AN0009EU0100 Rev.1.00 2022年3月04日
- 価格変更のお知らせ英語PDF 360 KB PIN19011 2019年4月10日
- 製品アドバイザリ英語PDF 499 KB PA11003 2011年1月05日
- 製品変更通知英語PDF 230 KB PCN10123 2010年12月06日
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- アプリケーションノート英語PDF 366 KB R15AN0011EU0100 Rev.1.00 2022年5月17日AI生成コンテンツ: This document provides detailed guidance on RS-485 transceiver design and application. It covers key topics such as design checklists, interfacing 5V transceivers with 3V controllers, mixing 3.3V and 5V transceivers on the same bus, and using high-speed transceivers at lower data rates. It explains maximum stub lengths, wiring differential inputs to accept single-ended signals, and proper bus termination. The document also discusses transient protection methods and highlights the benefits of specific transceiver models. Practical formulas and diagrams support implementation and troubleshooting in RS-485 networks.
- アプリケーションノート英語PDF 338 KB an9867 1999年11月10日AI生成コンテンツ: Electrical parameters are monitored during life testing to detect drift and failures, defined by exceeding datasheet limits. New products require less than 1% failure during burn-in, with failure analysis and corrective actions if exceeded. Sampling plans ensure defect rates below 3%. Life tests last 1000-3000 hours at 125°C depending on process maturity. Failure mechanisms include electromigration, ionic contamination, hot carrier injection, and dielectric rupture. Product sign-off requires all parties' approval after reliability confirmation. Space products undergo burn-in and quality conformance inspections with strict failure limits. Derating is unnecessary as datasheet limits are set at 6-sigma from characterization data, ensuring reliability.
- アプリケーションノート英語PDF 224 KB an9654 1999年5月05日AI生成コンテンツ: The document explains the reliability and failure mechanisms of semiconductor parts, focusing on life testing and wearout. It discusses how switching states cause transient current pulses and hot carrier injection, which only occur briefly during switching. Life testing at elevated temperatures accelerates aging to remove infant mortality failures, improving reliability. The failure rate follows a bathtub curve with infant mortality, useful life, and wearout phases, modeled by lognormal and exponential distributions. The Arrhenius equation relates failure rates at different temperatures. Burn-in and life tests reduce early failures without harming intrinsic reliability.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (5)
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- 製品アドバイザリ英語PDF 499 KB PA11003 2011年1月05日
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- 製品変更通知英語PDF 36 KB PCN08050B 2010年10月22日
製品通知（PCN、EOLなど） (4)
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マーケティング資料 (6)
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- その他資料英語PDF 141 KB tb399 2001年7月14日
その他資料 (3)
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