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80V/1.25Aピーク電流 フルブリッジFETドライバ

パッケージ情報

Pitch (mm) 1.27
Lead Count (#) 16
Pkg. Dimensions (mm) 9.93 x 3.94 x 0.00
Pkg. Code MCG
Pkg. Type SOICN

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US) EAR99
HTS (US) 8542.39.0090
RoHS (HIP4082IBZ) ダウンロード

製品スペック

Lead Count (#) 16
Carrier Type Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Pitch (mm) 1.3
Pkg. Dimensions (mm) 9.9 x 3.9 x 0.00
Pb (Lead) Free Yes
Pb Free Category Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3
Temp. Range -55 to +125°C
Country of Assembly China
Country of Wafer Fabrication United States
Price (USD) 3.21878
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) 95
Charge Pump No
Fall Time 9
Input Logic Level 3.3V/TTL
Length (mm) 9.9
Longevity 0000 8月
MOQ 960
Parametric Category Half-Bridge FET Drivers
Peak Pull-down Current (A) 1.3
Peak Pull-up Current (A) 1.4
Pkg. Type SOICN
Qualification Level Standard
Rise Time (μs) .009
Thickness (mm) 0.00
Turn-Off Prop Delay (ns) 55
Turn-On Prop Delay (ns) 75
VBIAS (Max) (V) 15
Width (mm) 3.9

説明

HIP4082は中周波、中電圧のHブリッジNチャンネルMOSFETドライバICで、16ピンプラスチックSOIC(N)およびDIPパッケージで提供されます。特にPWMモーター制御やUPSアプリケーションをターゲットとしており、ブリッジベースの設計はHIP4082のHブリッジドライバでシンプルかつ柔軟に行うことができます。最大80Vで動作するこのデバイスは中程度の電力レベルのアプリケーションに最適です。HIP4081と同様に、シュートスルー状態を引き起こすものを除き、あらゆるスイッチの組み合わせを駆動するための柔軟な入力プロトコルを備えています。HIP4082は駆動電流が少ないため小型化が可能で、プログラム可能なデッドタイムの範囲が広く(0.1~4.5μs)、最大200kHzのスイッチング周波数に最適です。HIP4082はチャージポンプを内蔵していませんが、上流の駆動回路にノンラッチレベルシフトトランスレーション制御を採用しており、サイズとコストを重視するアプリケーションに最適な機能・仕様となっています。より高い駆動能力を必要とするアプリケーションには、HIP4080AおよびHIP4081Aをお勧めします。