パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | 0.0 x 0.0 x 0.00 |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| Pb (Lead) Free | No |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Carrier Type | Reel |
| Phase Voltage (Min) | DC GND - 8V (<20ns) |
| Pkg. Dimensions (mm) | 0.0 x 0.0 x 0.00 |
| Pb (Lead) Free | No |
| IS (mA) | 0.19 |
| MOQ | 6000 |
| No Load IS (Max) | Almost negligible |
| Output Per Driver LGATE Source|Sink | 2|4 |
| Output Per Driver UGATE Source|Sink | 2|2 |
| Parametric Category | Multiphase DC/DC Switching Controllers |
| Phase Voltage (Max) | GND - 0.3VDC GND - 8V (<20ns) |
| Qualification Level | Standard |
| VDRIVE (V) (V) | 5 - 5 |
| VIN/VPWM (Max) | 3.3 and 5 |
HIP2105 に関するリソース
説明
HIP2105/HIP2106Aは同期降圧型パワーMOSFETの駆動に最適化された高周波MOSFETドライバです。HIP2105はHI/LI入力、HIP2106AはPWM入力を1つ備えています。これらのドライバとルネサスの多相降圧PWMコントローラを組み合わせることで、先進のマイクロプロセッサ向けに、高いスイッチング周波数で高効率な性能を持つ完全なシングルステージのコア電圧レギュレータ・ソリューションとなります。HIP2105とHIP2106Aは単一の低電圧電源（5V）でバイアスされ、高MOSFETゲート容量および高スイッチング周波数のアプリケーションにおけるドライバのスイッチング損失を最小化します。各ドライバは3nFの負荷を15ns以下の立ち上がり/立ち下がり時間で駆動することが可能です。アッパーゲートドライバのブートストラップは、内部の低順電圧降下ダイオードを使用して実装され、実装コストと複雑さを軽減し、より高性能でコスト効率の良いNチャネルMOSFETの使用を可能にします。HIP2106Aでは、両方のMOSFETが同時に導通しないように、適応型シュートスルー保護が統合されています。HIP2105とHIP2106Aは、下流ゲートドライバに4A（標準）のシンク電流を持ち、PHASEノードの立ち上がり時に下流MOSFETのゲートホールド能力を高め、スイッチングノードの高いdV/dtによる下流MOSFETの自己ターンオンによる電力損失を防止することができます。また、HIP2106Aは、ハイインピーダンス状態を認識する入力を備えており、ルネサスの多相3.0V/5V PWM回路と連動して動作します。3Vまたは5VのPWMコントローラと連携して、動作停止時の制御出力電圧の負の過渡電流を防止します。この機能により、負の出力電圧のダメージから負荷を保護するためにパワーシステムで使用されることがあるショットキーダイオードが不要になります。