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60V、1A/2Aピーク、4V UVLOハーフブリッジドライバ (2つの内部LDO - 12Vおよび3.3V)

パッケージ情報

Lead Count (#) 12
Pkg. Code LFP
Pitch (mm) 0.5
Pkg. Type DFN
Pkg. Dimensions (mm) 3.99 x 3.99 x 0.90

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US) EAR99
HTS (US) 8542390001
RoHS (HIP2104FRAANZ) ダウンロード

製品スペック

Lead Count (#) 12
Carrier Type Tray
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Pb (Lead) Free Yes
Pb Free Category Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3
Temp. Range -40 to +125°C
Country of Assembly Malaysia
Country of Wafer Fabrication Taiwan
Price (USD) | 1ku 1.47945
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) 60
Charge Pump No
Fall Time 17
Input Logic Level 3.3V/TTL
Length (mm) 4
MOQ 1960
Parametric Category Half-Bridge FET Drivers
Peak Pull-down Current (A) 2
Peak Pull-up Current (A) 1
Pitch (mm) 0.5
Pkg. Dimensions (mm) 4.0 x 4.0 x 0.90
Pkg. Type DFN
Qualification Level Standard
Rise Time (μs) .021
Thickness (mm) 0.9
Turn-Off Prop Delay (ns) 27
Turn-On Prop Delay (ns) 23
VBIAS (Max) (V) 14
Width (mm) 4

説明

HIP2103およびHIP2104はDCモータ、三相ブラシレスDCモータ、その他類似の負荷が掛かるアプリケーション向けに設計されたハーフブリッジドライバです。2つの入力(HIとLI)は、ハイサイドドライバ(HO)とローサイドドライバ(LO)を独立に制御します。HIとLIはイネーブル/ディセーブルの設定が可能であり、マイコンとの接続数を減らしてコストを低減できます。スリープモード時のIDDバイアス電流が小さいため、デバイスが使用されていない時のバッテリー消耗を防ぐことができ、ドライバーをバッテリーから切り離すための外部スイッチが不要になります。すべての入力(LI、HI、VDen、VCen)にプルダウン抵抗を内蔵しているため、外部抵抗の必要性が軽減されます。LO出力のアクティブLow抵抗プルダウンにより、スリープモード時、またはVDDが低電圧誤動作防止(UVLO)スレッショルドを下回ったときに、ローサイドブリッジFETがオフのままになります。HIP2104は、12Vリニア・レギュレータと3.3Vリニア・レギュレータを搭載し、それぞれ独立したイネーブル・ピンを備えています。12VレギュレータはVDDに内部バイアスを供給し、3.3Vレギュレータは外部マイクロコントローラ(あるいは他の低電圧IC)にバイアスを供給するので、ディスクリートLDOやDC/DCコンバータが不要になります。