特長
- 3 Micron Radiation Hardened CMOS SOS
- Total Dose 200K RAD (Si)
- SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg
- Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day (Typ)
- Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s
- Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse
- Latch-Up Free Under Any Conditions
- Military Temperature Range: -55°C to +125°C
- Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
- DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
- LSTTL Input Compatibility
- VIL = 0.8V Max
- VIH = VCC/2 Min
- Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The Intersil HCTS240AMS is a Radiation Hardened inverting octal buffer/line driver, three-state, with two active low output enables (1OE, 2OE). 1OE controls outputs 1Yn, 2OE controls outputs 2Yn. The HCTS240AMS utilizes advanced CMOS/SOS technology to achieve high-speed operation. This device is a member of radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family. The HCTS240AMS is supplied in a 20 lead Ceramic flatpack (K suffix) or a SBDIP Package (D suffix).
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pitch (mm) | Pkg. Dimensions (mm) | DLA SMD | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | MOQ | Temp. Range (°C) | CAGE code |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HCTS240ADMSR | Obsolete | N/A | Out of Stock | SBDIP | 20# | Tube | Not Applicable | 2.5mm | 25.4 x 7.5 x 2.41 | 5962-95772 | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | -55 to +125°C | 34371 |
| HCTS240AKMSR | Obsolete | N/A | Out of Stock | CFP | 20# | Tray | Not Applicable | 1.3mm | 12.7 x 7.5 x 0.00 | 5962-95772 | Exempt | Gold Plate over compliant Undercoat-e4 | 25 | -55 to +125°C | 34371 |
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- アプリケーションノート英語PDF 224 KB an9654 1999年5月05日AI生成コンテンツ: The document explains the reliability and failure mechanisms of semiconductor parts, focusing on life testing and wearout. It discusses how switching states cause transient current pulses and hot carrier injection, which only occur briefly during switching. Life testing at elevated temperatures accelerates aging to remove infant mortality failures, improving reliability. The failure rate follows a bathtub curve with infant mortality, useful life, and wearout phases, modeled by lognormal and exponential distributions. The Arrhenius equation relates failure rates at different temperatures. Burn-in and life tests reduce early failures without harming intrinsic reliability.
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