特長
- Less than 0.15in2 (0.97cm2) footprint for the complete 1A converter
- Components on one side of PCB
- Max height 1.1mm MSOP10
- 100ms Power-On-Reset output (POR)
- Internally-compensated voltage mode controller
- Up to 94% efficiency
- <1µA shut-down current
- Overcurrent and over-temperature protection
- Pb-Free plus anneal available (RoHS compliant)
EL7536 Functional Diagram
説明
The EL7536 is a synchronous, integrated FET 1A step-down regulator with internal compensation. It operates with an input voltage range from 2. 5V to 5. 5V, which accommodates supplies of 3. 3V, 5V, or a Li-Ion battery source. The output can be externally set from 0. 8V to VIN with a resistive divider. The EL7536 features PWM mode control. The operating frequency is typically 1. 4MHz. Additional features include a 100ms Power-On-Reset output, 1µA shut-down current, short-circuit protection, and over-temperature protection. The EL7536 is available in the 10-pin MSOP package, making the entire converter occupy less than 0. 15in2 of PCB area with components on one side only. Both packages are specified for operation over the full -40°C to +85°C temperature range.
アプリケーション・ブロック図
 | プリンタ (PPC/MFP) 用パワーシーケンサ & I/Oエキスパンダ 高性能PPC/MFPプリンタ用のMCUベースのパワーシーケンサ & I/Oエキスパンダ。 |
その他アプリケーション
- PDA and pocket PC computers
- Bar code readers
- Cellular phones
- Portable test equipment
- Li-Ion battery powered devices
- Small form factor (SFP) modules
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | Temp. Range (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EL7536IY | Obsolete | N/A | In Stock | Contact | MSOP | 10# | Tube | 1 | No | Solder Plate | -40 to +85°C |
| EL7536IYZ | Obsolete | N/A | In Stock | RoHS:EN | MSOP | 10# | Tube | 2 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C |
| EL7536IYZ-T13 | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN | MSOP | 10# | Reel | 2 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C |
| EL7536IYZ-T7 | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN | MSOP | 10# | Reel | 2 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C |
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- アプリケーションノート英語PDF 592 KB an9208 2018年2月01日AI生成コンテンツ: The document discusses high frequency power converters, focusing on ZVS-QRC and multi-resonant topologies that reduce switching losses by operating switches at zero voltage. It highlights challenges like EMI and high voltage stress. The SEPIC converter is introduced, explaining its ability to buck or boost voltage without polarity inversion. The document details SEPIC’s operating modes, voltage-current relationships, and the importance of inductor values for continuous or discontinuous conduction modes.
- 製品変更通知英語PDF 117 KB PCN11059 2011年6月17日
- アプリケーションノート英語PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
- アプリケーションノート英語PDF 650 KB an9210 2001年12月21日AI生成コンテンツ: This document presents a new PSPICE subcircuit model for power MOSFETs with global temperature options. It details synchronous rectifier circuit operation, including gate biasing and conduction modes. The model accurately simulates switching waveforms, diode recovery, and temperature-dependent efficiency. Measured and modeled data show excellent correlation for output characteristics, threshold voltage, breakdown voltage, and on-resistance across temperature ranges. Limitations in linear mode modeling are noted due to PSPICE assumptions.
- アプリケーションノート英語PDF 387 KB an9209 1998年8月13日AI生成コンテンツ: The document presents an empirical SPICE-2 subcircuit model for power MOSFETs, accurately simulating static and dynamic behaviors including first and third-quadrant operations and avalanche breakdown. The model aligns closely with measured data and is compatible with all SPICE versions without code modification. It uses parameters derived from datasheets or simple measurements. The document also includes detailed comparisons of measured and calculated curves for transfer, output, switching, and diode recovery characteristics. Additionally, it provides legal and usage disclaimers from Renesas Electronics.
- アプリケーションノート英語PDF 349 KB an7244 1998年8月12日AI生成コンテンツ: Power MOSFETs feature a positive temperature coefficient of resistance, enhancing stability and preventing thermal runaway by increasing resistance as temperature rises. Their gate terminals have extremely high input impedance with minimal leakage current, dominated by capacitive characteristics. Switching speed depends on gate resistance and capacitance, with polysilicon gates offering higher resistance and lower frequency operation than metal gates. MOSFETs require a gate-to-source voltage exceeding a threshold (around 2V) and typically about 10V to fully saturate and deliver maximum drain current. TTL and CMOS drivers differ in voltage capability and switching speed, often requiring buffering for optimal performance.
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- アプリケーションノート英語PDF 650 KB an9210 2001年12月21日AI生成コンテンツ: This document presents a new PSPICE subcircuit model for power MOSFETs with global temperature options. It details synchronous rectifier circuit operation, including gate biasing and conduction modes. The model accurately simulates switching waveforms, diode recovery, and temperature-dependent efficiency. Measured and modeled data show excellent correlation for output characteristics, threshold voltage, breakdown voltage, and on-resistance across temperature ranges. Limitations in linear mode modeling are noted due to PSPICE assumptions.
- アプリケーションノート英語PDF 387 KB an9209 1998年8月13日AI生成コンテンツ: The document presents an empirical SPICE-2 subcircuit model for power MOSFETs, accurately simulating static and dynamic behaviors including first and third-quadrant operations and avalanche breakdown. The model aligns closely with measured data and is compatible with all SPICE versions without code modification. It uses parameters derived from datasheets or simple measurements. The document also includes detailed comparisons of measured and calculated curves for transfer, output, switching, and diode recovery characteristics. Additionally, it provides legal and usage disclaimers from Renesas Electronics.もっと見る (6)
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (6)
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製品通知（PCN、EOLなど） (3)
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