車載用パワーMOSFET

最新トレンチ技術によるウェハプロセス、マルチワイヤ/クリップボンディング技術によるパッケージングを使用した、世界最高レベルの、低抵抗・高速スイッチング特性を実現し、車載仕様に適した製品を取り揃えております。

［注意］
弊社の車載向けアナログ＆パワー製品に関しての使用上のご注意 (PDF)があります。必ずご一読下さい。

世界各国で燃費・排ガスに対する環境規制やエネルギー政策が進む中、電動車両(HEV/EV）は「環境・省エネ対応」「安全・利便性向上」を図りつつ、実用車・SUV・スポーツカーなど多様化しながら普及・拡大が続いています。こうした次世代自動車の普及に伴い、高性能・高効率・高機能なパワーデバイスの需要がますます増加しています。ルネサスではこのようなニーズに対応するべく、自動車用途を意識した設計・開発、工程管理のもと、高い品質・信頼性を実現した製品を市場に提供してきました。現在も更なる 「高性能・高信頼性・高機能」な製品を市場に送り出すべく、新しいプロセスと製品の開発を進めています。

車載用低耐圧パワー MOSFET プロセストレンド

高温環境で大電流を制御するため、自動車電装用パワーMOSFETとして、 最も重要となるのが低オン抵抗特性です。また、近年、PWM応用、電源応用の拡大も踏まえて、スイッチング特性も重視される動向にあります。これらの技術動向を踏まえて、超低オン抵抗特性と低ゲート容量を兼ね備えた高性能プロセスを継続的に開発しています。また、高破壊耐量、高信頼性で安心してお使いいただけるよう、長年培われたノウハウを盛り込んだ高破壊耐量設計を適用しています。