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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)

車載用パワーMOSFET

最新のトレンチMOS技術を適用したウェーハプロセスと、マルチワイヤ/クリップボンディング技術を採用したパッケージにより、低オン抵抗と高速スイッチング性能を実現した車載パワーMOSFET製品を提供しています。

世界的な環境規制の強化や燃費向上要求の高まりを背景に、電気自動車(HEV/EV)の普及が進んでいます。こうした次世代車両の普及に伴い、高性能・高効率・高機能な車載パワーデバイスへの需要が拡大しています。 こうした次世代自動車への移行に伴い、高性能・高効率・高機能なパワーデバイスの需要が高まっています。 こうしたニーズに応えるため、ルネサスは車載用途向けの設計、開発、および製造プロセス管理を通じて、高品質・高信頼性を実現した製品を提供しています。 さらに、次世代プロセスの開発を推進し、より高性能・高信頼性・高機能な車載パワーデバイスの実現に取り組んでいます。

製品ポートフォリオ

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Nチャネル車載用MOSFET
Pチャネル車載用MOSFET

車載用MOSFETプロセスの動向

低オン抵抗

低オン抵抗への注力

車載用パワーMOSFETにおいて、低オン抵抗は最も重要な特性の一つです。 高温環境下でも効率的な大電流制御を実現することで、車載用途における高い信頼性の確保に貢献します。

スイッチング特性

スイッチング特性の重要性

PWM制御や電源アプリケーションの拡大に伴い、スイッチング特性の重要性も高まっています。 スイッチング特性の最適化により、スイッチング損失を低減し、システム全体の効率および性能向上に貢献します。