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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • High system speed 150MHz (3.8ns clock access time)
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O
  • Available in 100-pin TQFP package

説明

The 71V3576 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. The 71V3576 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

パラメータ

属性
Density (Kb)4608
Bus Width (bits)36
Core Voltage (V)3.3
Pkg. CodePKG100
Organization128K x 36
I/O Voltage (V)3.3 - 3.3
I/O Frequency (MHz)133 - 133, 150 - 150
Temp. Range (°C)-40 to 85°C, 0 to 70°C
ArchitectureSynch Burst
Output TypePipelined

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
TQFP20.0 x 14.0 x 1.41000.65
Part NumberStatusSamplesStockPackageBudgetary Price (USD)Lead Count (#)Temp. GradePb (Lead) FreeCarrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
71V3576S133PFGActiveN/AOut of StockTQFP1ku | $4.52100#CYesTray3TAIWANTAIWAN, USA
71V3576S133PFGIActiveN/AIn StockTQFP1ku | $5.35100#IYesTray3TAIWANTAIWAN, USA
71V3576S150PFGIActiveN/AOut of StockTQFP1ku | $5.35100#IYesTray3TAIWANTAIWAN, USA
71V3576S133PFG8ObsoleteN/AOut of StockTQFP100#CYesReel3
71V3576S133PFGI8ObsoleteN/AOut of StockTQFP100#IYesReel3
71V3576S150PFGObsoleteN/AIn StockTQFP100#CYesTray3
71V3576S150PFG8ObsoleteN/AOut of StockTQFP100#CYesReel3
71V3576S150PFGI8ObsoleteN/AOut of StockTQFP100#IYesReel3
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