概要
EVB-RTP100E005G1FL評価ボードは、高効率同期整流降圧コンバータにおけるルネサス低電圧GaN技術の性能上の利点を実証するための評価プラットフォームです。 本ボードは、ハーフブリッジ構成の2個のRTP100E005G1FL 100V E-mode GaN FETと、RRP68150 GaNゲートドライバを搭載しており、高周波電力変換設計を評価するためのコンパクトなプラットフォームを提供します。
48V入力、最大240Wの12V出力で動作し、幅広い動作条件におけるスイッチング性能、効率、および電力密度の評価が可能です。 また、スイッチング波形の測定や電力損失の解析を容易にするテストポイントを備えており、次世代電力変換システムの最適化を支援します。
特長
- Vin、Vout、Fsw、およびPoutの幅広い条件におけるルネサス低電圧GaNの性能評価
- 柔軟で使いやすい降圧コンバータ評価ボード
- 48V入力、12V出力、最大240W出力に対応
- スイッチング周波数範囲：250kHz～1MHz
- 高周波電力変換の最適化
- 波形測定に便利なテストポイントを搭載
- 高効率かつ高電力密度の設計をサポート
- フットプリント互換GaN FETパッケージにより、シリコンMOSFETソリューションからの移行を容易化
EVB-RTP100E005G1FL評価ボード - 上面
設計ファイル／ドキュメント
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- ホワイトペーパー英語Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- PCB設計ファイル英語The design files for the EVB-RTP100E005G1FL evaluation board include the schematic and PCB layout files used in the board design. These resources provide insight into the board's implementation and can assist with design review, customization, and evaluation of the RTP100E005G1FL low-voltage GaN device.
- マニュアル－開発ツール英語The EVB-RTP100E005G1FL evaluation board showcases the performance of the RTP100E005G1FL 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET in high-efficiency power conversion applications. Built around Renesas low-voltage GaN technology and a dedicated GaN gate driver, it provides a practical platform for evaluating switching performance, efficiency, measurement techniques, and power-stage design considerations. This evaluation board manual includes setup, operation, and testing guidance.
- アプリケーションノート英語Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
- マニュアル－開発ツール英語The EVB-RTP100E005G1FL evaluation board showcases the performance of the RTP100E005G1FL 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET in high-efficiency power conversion applications. Built around Renesas low-voltage GaN technology and a dedicated GaN gate driver, it provides a practical platform for evaluating switching performance, efficiency, measurement techniques, and power-stage design considerations. This evaluation board manual includes setup, operation, and testing guidance.
推奨ドキュメント (1)
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お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
- マニュアル－開発ツール英語The EVB-RTP100E005G1FL evaluation board showcases the performance of the RTP100E005G1FL 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET in high-efficiency power conversion applications. Built around Renesas low-voltage GaN technology and a dedicated GaN gate driver, it provides a practical platform for evaluating switching performance, efficiency, measurement techniques, and power-stage design considerations. This evaluation board manual includes setup, operation, and testing guidance.
マニュアル、ガイド (1)
- ホワイトペーパー英語Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- アプリケーションノート英語Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (2)
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- PCB設計ファイル英語The design files for the EVB-RTP100E005G1FL evaluation board include the schematic and PCB layout files used in the board design. These resources provide insight into the board's implementation and can assist with design review, customization, and evaluation of the RTP100E005G1FL low-voltage GaN device.
図、設計ファイル (1)
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REXGaN 100V GaN FETs deliver ultra-fast switching, low power loss, and high-power density for next-generation power conversion applications. Built on the Renesas REXGaN platform, these e-mode GaN power transistors combine low RDS(on), advanced packaging, and enhanced thermal performance to improve system efficiency. Silicon footprint compatibility enables low-friction migration from traditional silicon-based solutions while supporting higher performance and power density.
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ブログ 2026年10月1日 |
