概要
EVB-RTP100E005G1FL評価ボードは、高効率同期整流降圧コンバータにおけるルネサス低電圧GaN技術の性能上の利点を実証するための評価プラットフォームです。 本ボードは、ハーフブリッジ構成の2個のRTP100E005G1FL 100V E-mode GaN FETと、RRP68150 GaNゲートドライバを搭載しており、高周波電力変換設計を評価するためのコンパクトなプラットフォームを提供します。
48V入力、最大240Wの12V出力で動作し、幅広い動作条件におけるスイッチング性能、効率、および電力密度の評価が可能です。 また、スイッチング波形の測定や電力損失の解析を容易にするテストポイントを備えており、次世代電力変換システムの最適化を支援します。
特長
- Vin、Vout、Fsw、およびPoutの幅広い条件におけるルネサス低電圧GaNの性能評価
- 柔軟で使いやすい降圧コンバータ評価ボード
- 48V入力、12V出力、最大240W出力に対応
- スイッチング周波数範囲：250kHz～1MHz
- 高周波電力変換の最適化
- 波形測定に便利なテストポイントを搭載
- 高効率かつ高電力密度の設計をサポート
- フットプリント互換GaN FETパッケージにより、シリコンMOSFETソリューションからの移行を容易化
サンプル＆ご購入
EVB-RTP100E005G1FL
アクティブビデオ&トレーニング
REXGaN 100V GaN FETs deliver ultra-fast switching, low power loss, and high-power density for next-generation power conversion applications. Built on the Renesas REXGaN platform, these e-mode GaN power transistors combine low RDS(on), advanced packaging, and enhanced thermal performance to improve system efficiency. Silicon footprint compatibility enables low-friction migration from traditional silicon-based solutions while supporting higher performance and power density.
ニュース＆ブログ
ブログ 2026年10月1日 |
