概要

現代の超大規模データセンターを構築するためには、そのハードウェアを構成する要素に対しても、柔軟性や拡張性、更には安全且つ低コストであることが従来以上に強く求められています。
この次世代データセンターを構成するサーバー、ストレージ、ハードウェアアクセラレーション装置等に対し、ルネサスはより一層の安全性と性能の向上、効率の改善に貢献できる幅広いソリューションを提供します。

Data Center Overview

推奨ルネサスデバイス

メモリ

半導体デバイス 推奨製品 特長等
高速SRAM QDR-II/II+, DDR-II/II+ 18Mb-144Mb
高速ランダムアクセスメモリ
QDR規格準拠
高速DRAM LLDRAM-II/III 288Mb-1.1Gb
高速ランダムアクセス&低消費電力DRAM
Search Engine NSE 20Mb-80Mb
高性能パケットヘッダ検索向け
低消費電力SRAM LP SRAM 256Kb-64Mb
幅広いラインナップ

光トランシーバー

半導体デバイス 推奨製品 特長等
MCU RX651 高性能(32MHz)・低消費電力
光トランシーバーと使用可能
(データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー)
I2Cバスインターフェース(ファーストモード+1Mbpsサポート)
RX231 高性能(54MHz)・低消費電力・小型PKG
光トランシーバーと使用可能
(データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー)
RX111 高性能(32MHz)・低消費電力・小型PKG
光トランシーバーと使用可能
(データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー)
LD/PD DFB-LD 25Gbpsサポート
ダイレクト変調
4波長で100Gbps対応(25Gbps × 4チャネル)

パワーマネジメント

半導体デバイス 推奨製品 特長等
IGBT RBNxxH65T1シリーズ インバータ用IGBT(UPS, 太陽光発電, 他)
高効率(高速スイッチング+低VCEsat)
高堅牢性(最大VGE=±30V, MAXジャンクション温度:175 ℃)
RBNxxH125S1シリーズ
フォトカプラ トランジスタ出力
IC出力
IGBT駆動/アイソレーションアンプ/通信用を含む、幅広いラインナップ
関連ソリューション

パケットヘッダ検索ソリューション(200-400G)

近年、IoT端末の増加やクラウドの普及により大量のネットワークパケット処理の必要性が高まってきており、特に基幹通信においてはパケットが集中するため、その通信インフラへ400Gbpsクラス機器の普及が必要になってきています。

パケットヘッダ検索ソリューション(100G)

近年、IoT時代の到来とともにネットワークに繋がるモノと流通するデータ量が急増しているため、ネットワークの高速化が進展しています。特にデータセンター内のトラフィックスピードは、100Gbクラスへ切り替えが進んでおります。

ACLソリューション

Network Search Engine (NSE)をネットワークセキュリティで最も重要な機能の一つであるアクセス制御に適用したACLソリューションを紹介します。