ルネサスの耐放射線強化CMOSプログラマブル読み出し専用メモリ(PROM)デバイスは、8Kワード×8ビットのフォーマットで構成され、耐放射線強化CMOSプロセスにより製造され、同期回路設計技術を活用することで、非常に低い電力損失での高速性能を実現しています。

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