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ルネサスの耐放射線強化CMOSプログラマブル読み出し専用メモリ(PROM)デバイスは、8Kワード×8ビットのフォーマットで構成され、耐放射線強化CMOSプロセスにより製造され、同期回路設計技術を活用することで、非常に低い電力損失での高速性能を実現しています。
High Dose Rate (HDR) (krad (Si)) |
Low Dose Rate (LDR) (krad (Si)) |
DSEE (SEL, SEB, etc.) (MeV*cm2/mg) |
DLA SMD |
Qualification Level |
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型名 | |||||
8k x 8 CMOS PROM | 300 | 100 | 5962F9562601QXC, 5962F9562601QYC, 5962F9562601VXC, 5962F9562601VYC | QML Class Q (military),QML Class V (space) | |
8k x 8 CMOS PROM | 100 | 5962R9562601TXC, 5962R9562601TYC | QML Class T (space lower level) |
Document title | Document type 分類 | 日付 日付 |
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PDF 467 KB | カタログ | |
PDF 4.85 MB | カタログ | |
PDF 338 KB | アプリケーションノート | |
3 items
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