概要

説明

The 71V3578 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 18. The 71V3578 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

特長

  • High system speed 150MHz (3.8ns clock access time)
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O
  • Available in 100 -pin TQFP package

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 187 KB
ガイド PDF 568 KB 英語
製品変更通知 PDF 567 KB
製品変更通知 PDF 24 KB
製品変更通知 PDF 135 KB
製品変更通知 PDF 98 KB
製品変更通知 PDF 120 KB
製品変更通知 PDF 194 KB
製品変更通知 PDF 164 KB
製品変更通知 PDF 729 KB
製品変更通知 PDF 159 KB
製品変更通知 PDF 290 KB
製品変更通知 PDF 80 KB
製品変更通知 PDF 38 KB
製品変更通知 PDF 211 KB
製品変更通知 PDF 26 KB
製品変更通知 PDF 197 KB
製品変更通知 PDF 150 KB
製品変更通知 PDF 65 KB
製品変更通知 PDF 138 KB
製品変更通知 PDF 150 KB
製品変更通知 PDF 48 KB
製品変更通知 PDF 22 KB
製品変更通知 PDF 274 KB
製品変更通知 PDF 44 KB
25 items

設計・開発

モデル

モデル

分類 タイトル 日付
モデル-IBIS ZIP 9 KB
モデル-IBIS ZIP 9 KB
モデル-Verilog TAR 92 KB
3 items

サポート