特長
- 超高速スイッチング対応 Gen IV Plus GaN
- JEDEC規格認定済み GaN技術
- 過渡過電圧耐性を備えた堅牢設計
- E‑modeゲートドライバ互換、ツェナーダイオード保護不要
- 極めて低いクロスオーバー損失
- 極めて少ない逆回復電荷（Qrr）
- RoHS準拠、ハロゲンフリーパッケージ
- 低逆導通電圧降下（VSD）
説明
TP70H135G4PJSGB は、ルネサスのGen IV Plusプラットフォームをベースとした 700V、135mΩの窒化ガリウム（GaN）FETで、Normally-offデバイスです。 最先端の 高耐圧GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor） と低耐圧シリコンMOSFETを組み合わせることで、優れた性能、標準ゲートドライブ互換性、容易な導入、高い信頼性を実現します。
Gen IV Plus SuperGaN®プラットフォームは、高度なエピタキシャル技術と特許取得済みデバイス技術を採用し、製造性を簡素化するとともに、ゲート電荷の低減、出力容量の低減、クロスオーバー損失の最小化、逆回復電荷の低減により、効率を向上させます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 700 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 135 |
| RDSON (max) (mΩ) | 169 |
| Vth typ (V) | 2 |
| Id max @ 25°C (A) | 16 |
| Qg typ (nC) | 5.9 |
| Qoss (nC) | 29.4 |
| Ron * Qoss (FOM) | 3969 |
| Ciss (Typical) (pF) | 485 |
| Coss (Typical) (pF) | 29.5 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type |
|---|
| PQFN56, IP |
アプリケーション
- 民生
- 電源アダプタ
- 低消費電力スイッチング電源（SMPS）
- 照明機器