パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | PQFN56, IP |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| RoHS (TP70H135G4PJSGB-TR) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| ECCN (US) |
製品スペック
| Pkg. Type | PQFN56, IP |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Country of Assembly | CHINA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 485 |
| Coss (Typical) (pF) | 29.5 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 16 |
| Qg typ (nC) | 5.9 |
| Qoss (nC) | 29.4 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 135 |
| RDSON (max) (mΩ) | 169 |
| Ron * Qoss (FOM) | 3969 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 700 |
| Vth typ (V) | 2 |
TP70H135G4PJSGB に関するリソース
説明
TP70H135G4PJSGB は、ルネサスのGen IV Plusプラットフォームをベースとした 700V、135mΩの窒化ガリウム（GaN）FETで、Normally-offデバイスです。 最先端の 高耐圧GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor） と低耐圧シリコンMOSFETを組み合わせることで、優れた性能、標準ゲートドライブ互換性、容易な導入、高い信頼性を実現します。
Gen IV Plus SuperGaN®プラットフォームは、高度なエピタキシャル技術と特許取得済みデバイス技術を採用し、製造性を簡素化するとともに、ゲート電荷の低減、出力容量の低減、クロスオーバー損失の最小化、逆回復電荷の低減により、効率を向上させます。