特長
- Gen IVテクノロジー
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
TP65H480G4JSGB Typical Diagram
説明
TP65H480G4JSGB 650V 480mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。
このTP65H480G4JSGBは、共通のソース・パッケージ構成の業界標準のPQFN56で提供されます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 480 |
| RDSON (max) (mΩ) | 560 |
| Vth typ (V) | 2.4 |
| Id max @ 25°C (A) | 3.6 |
| Qrr typ (nC) | 15.2 |
| Qg typ (nC) | 5 |
| Qoss (nC) | 11.6 |
| Ron * Qoss (FOM) | 5568 |
| Ciss (Typical) (pF) | 414 |
| Coss (Typical) (pF) | 7.93 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) |
|---|---|
| PQFN56 | 5 x 6 |
アプリケーション
- 民生
- 電源アダプタ
- 低電力SMPS
- 照明機器
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | パッケージ | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Mounting Type | Temp. Range (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TP65H480G4JSGB | Active | N/A | 在庫切れ | PQFN56 | Tape & Reel | 3 | Surface Mount | -55 to +150°C |
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- ホワイトペーパー英語PDF 1.9 MB R16WP0012EU0100 Rev.1.00 2025年12月19日D-Mode GaN combines the best of both GaN and Silicon and is ideal for high-voltage applications with high-speed, high-voltage GaN switching, robust 4V threshold gate compatible with standard gate drivers, and a range of standard package offerings not available with other GaN technologies.
- 技術概要英語PDF 992 KB R16TB0004EU0100 Rev.1.00 2025年12月02日
- データシート英語TP65H480G4JSGB DatasheetRECOMMENDEDPDF 806 KB R08DS0327EU0102 Rev.1.02 2025年11月21日The TP65H480G4JSGB 650V, 480mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device that uses Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance while enabling reduced system size and cost.
- アプリケーションノート英語PDF 372 KB 2024年12月11日AI生成コンテンツ: GaN power switches require careful PCB layout and probing techniques to fully utilize their fast switching capabilities. Minimizing parasitic inductances and capacitances in the power and gate drive loops reduces ringing and ensures stable operation. A large ground plane, close placement of power components, and short, wide traces in the gate drive circuit improve performance. Accurate probing demands short ground leads and direct probe placement to avoid measurement artifacts. Avoid adding parasitics during probing by using floating oscilloscopes and minimizing wire lengths. The document also highlights the importance of proper decoupling and grounding strategies for high-frequency switching circuits.
- アプリケーションノート英語PDF 3.39 MB 2024年1月17日AI生成コンテンツ: The document details tape and reel packaging specifications for various PQFN packages by Renesas Electronics, including GEN III and GEN IV 8x8mm and 5x6mm sizes. It covers product orientation, carrier tape dimensions, reel sizes, box sizes, package PODs, laser marking samples, and shipping box information. The GEN III 8x8mm PQFN tape and reel includes 500 pieces per reel, with leader and trailer empty pocket lengths specified. Carrier tape dimensions follow EIA 481 standards with precise sprocket hole tolerances. Reel size is standardized at 178mm diameter. The document also includes detailed packaging and shipping information for TO-220, TO-247, and TOLL tape and reel formats.
- アプリケーションノート英語PDF 1.26 MB 2022年4月07日AI生成コンテンツ: Recommendations focus on lead-free second-level soldering for PQFN88, PQFN56, and TO-263 packages using vapor phase reflow. Key points include PCB footprint design to ensure optimal thermal and electrical performance, solder pad surface finish selection favoring Electroless Ni/Immersion Au (ENIG) for superior solder wetting, and solder stencil specifications with preferred thickness around 127µm. Vias in drain or source pads improve thermal conduction. Detailed stencil aperture dimensions and solder mask openings support self-alignment during reflow soldering. The document guides on solder paste printing and reflow parameters to achieve reliable assembly.
- PCB設計ファイル英語ZIP 2.7 MB 2017年7月11日関連ファイル：
- ガイド英語PDF 391 KB 2017年4月17日
- データシート英語TP65H480G4JSGB DatasheetRECOMMENDEDPDF 806 KB R08DS0327EU0102 Rev.1.02 2025年11月21日The TP65H480G4JSGB 650V, 480mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device that uses Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance while enabling reduced system size and cost.
推奨ドキュメント (1)
- データシート英語TP65H480G4JSGB DatasheetRECOMMENDEDPDF 806 KB R08DS0327EU0102 Rev.1.02 2025年11月21日The TP65H480G4JSGB 650V, 480mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device that uses Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance while enabling reduced system size and cost.
データシート (1)
- ガイド英語PDF 391 KB 2017年4月17日
マニュアル、ガイド (3)
- ホワイトペーパー英語PDF 1.9 MB R16WP0012EU0100 Rev.1.00 2025年12月19日D-Mode GaN combines the best of both GaN and Silicon and is ideal for high-voltage applications with high-speed, high-voltage GaN switching, robust 4V threshold gate compatible with standard gate drivers, and a range of standard package offerings not available with other GaN technologies.
- アプリケーションノート英語PDF 372 KB 2024年12月11日AI生成コンテンツ: GaN power switches require careful PCB layout and probing techniques to fully utilize their fast switching capabilities. Minimizing parasitic inductances and capacitances in the power and gate drive loops reduces ringing and ensures stable operation. A large ground plane, close placement of power components, and short, wide traces in the gate drive circuit improve performance. Accurate probing demands short ground leads and direct probe placement to avoid measurement artifacts. Avoid adding parasitics during probing by using floating oscilloscopes and minimizing wire lengths. The document also highlights the importance of proper decoupling and grounding strategies for high-frequency switching circuits.
- アプリケーションノート英語PDF 3.39 MB 2024年1月17日AI生成コンテンツ: The document details tape and reel packaging specifications for various PQFN packages by Renesas Electronics, including GEN III and GEN IV 8x8mm and 5x6mm sizes. It covers product orientation, carrier tape dimensions, reel sizes, box sizes, package PODs, laser marking samples, and shipping box information. The GEN III 8x8mm PQFN tape and reel includes 500 pieces per reel, with leader and trailer empty pocket lengths specified. Carrier tape dimensions follow EIA 481 standards with precise sprocket hole tolerances. Reel size is standardized at 178mm diameter. The document also includes detailed packaging and shipping information for TO-220, TO-247, and TOLL tape and reel formats.
- アプリケーションノート英語PDF 1.26 MB 2022年4月07日AI生成コンテンツ: Recommendations focus on lead-free second-level soldering for PQFN88, PQFN56, and TO-263 packages using vapor phase reflow. Key points include PCB footprint design to ensure optimal thermal and electrical performance, solder pad surface finish selection favoring Electroless Ni/Immersion Au (ENIG) for superior solder wetting, and solder stencil specifications with preferred thickness around 127µm. Vias in drain or source pads improve thermal conduction. Detailed stencil aperture dimensions and solder mask openings support self-alignment during reflow soldering. The document guides on solder paste printing and reflow parameters to achieve reliable assembly.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (4)
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