特長
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 固有の寿命テスト
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- AC-DCおよびDC-DC設計が可能
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
説明
TP65H480G4JSG 650V 480mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
Transphorm GaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H480G4JSGは、共通のソース・パッケージ構成の業界標準のPQFN56で提供されます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 480 |
| RDSON (max) (mΩ) | 560 |
| Vth typ (V) | 2.1 |
| Id max @ 25°C (A) | 3.6 |
| Qrr typ (nC) | 14 |
| Qg typ (nC) | 9 |
| Qoss (nC) | 13.5 |
| Ron * Qoss (FOM) | 6480 |
| Ciss (Typical) (pF) | 760 |
| Coss (Typical) (pF) | 9 |
| trr (Typical) (nS) | 14.5 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) |
|---|---|
| PQFN56 | 5 x 6 |
アプリケーション
- 民生
- 電源アダプタ
- 低消費電力SMPS
- 照明