特長
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 固有の寿命テスト
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
- AC-DCおよびDC-DC設計が可能
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
説明
TP65H300G4LSG 650V 240mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。
このTP65H300G4LSGは、業界標準のPQFN88で提供され、共通のソース・パッケージ構成を採用しています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 240 |
| RDSON (max) (mΩ) | 312 |
| Vth typ (V) | 2.1 |
| Id max @ 25°C (A) | 6.5 |
| Qrr typ (nC) | 23 |
| Qg typ (nC) | 9.6 |
| Qoss (nC) | 19 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4560 |
| Ciss (Typical) (pF) | 760 |
| Coss (Typical) (pF) | 16 |
| trr (Typical) (nS) | 16 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) |
|---|---|
| PQFN88 | 8 x 8 |
アプリケーション・ブロック図
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1.2kW高電圧GaN FET搭載インバータ
産業用モータドライブ用のGaNベースのPFCを備えた効率的な高電圧GaN FET搭載インバータ。
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その他アプリケーション
- 民生
- 電源アダプタ
- 低電力SMPS
- 照明機器