特長
- 70mΩ、650V GaNデバイス、PQFN 8x8インダストリー・パッケージ
- Gen IV テクノロジー
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff テスト済み
- ロバスト設計は、以下によって定義されます。
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 低QRR
- クロスオーバー損失の低減
- RoHS準拠およびハロゲンフリーパッケージ
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率が向上し、次のことが可能になります。
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量を削減
- 全体的なシステムコストの削減
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に制御できます
- 性能向上のためのケルビンソース
- より高いしきい値電圧によりe-modeに対してノイズ耐性を向上させます
説明
TP65H070G4LSGBEA 650V、70mΩ、窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IV SuperGaN®技術によるノーマリーオフデバイスです。 高電圧 GaN 高電子移動度トランジスタ (HEMT) と低電圧シリコン MOSFET テクノロジーを統合し、優れた信頼性と性能を提供します。 ルネサスのGaNは、ゲート電荷、クロスオーバー損失、逆回復電荷を最小限に抑えることで、シリコンよりも高い効率を実現します。 このTP65H070G4LSGBEAは、ケルビンソースピンを有するPQFN88 8ピンインダストリー・パッケージで提供されます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 72 |
| RDSON (max) (mΩ) | 85 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 29 |
| Qg typ (nC) | 11 |
| Qoss (nC) | 64 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4608 |
| Ciss (Typical) (pF) | 588 |
| Coss (Typical) (pF) | 64 |
| trr (Typical) (nS) | 47 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) |
|---|---|
| PQFN88 | 8 x 8 |
アプリケーション
- 幅広いデータ通信
- 産業用機器
- PVインバーター
- サーボモータ