特長
- 優れた熱性能を実現するPQFN 8×8両面冷却パッケージ
- 高しきい値電圧と十分なゲートマージンを備えた絶縁ゲート
- デッドタイム時の逆方向導通電圧降下を低減する内蔵フリーホイールダイオード
- 極めて小さい逆回復電荷
- 低ゲート電荷（Qg）および低出力電荷（Qoss）
- 高いドレインソース間電圧スルーレート（dv/dt）耐性
- ソフトスイッチングおよびハードスイッチングに対応
- 過渡過電圧耐量
- ハードスイッチング回路およびソフトスイッチング回路における効率向上
- より高い電力密度設計をサポート
- 一般的なゲートドライバに対応
- ノイズ耐性向上のため、高しきい値電圧を備えたE-mode GaNデバイスとピン互換
- JEDEC認定
- RoHS対応およびハロゲンフリーパッケージ
説明
TP65H020G4PLSGBDは、ルネサスの第4世代Plusプラットフォームを採用した650V、20mΩの窒化ガリウム（GaN）FETです。 このノーマリーオフスイッチは、高速スイッチングと高い信頼性を実現する高耐圧デプレッションモードGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）と、標準的なゲートドライバとの互換性を提供する低耐圧シリコンMOSFETを組み合わせています。
両面冷却に対応した薄型PQFN 8×8パッケージを採用しており、優れた熱性能を実現するとともに、高いシステムレベルの電力密度設計を可能にします。 低ゲート電荷、低出力電荷、ごくわずかな逆回復電荷、およびソフトスイッチングとハードスイッチングの両方に対応することで、電力変換効率を向上させるとともに、システムの小型化、軽量化、およびコスト削減に貢献します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 900 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 20 |
| RDSON (max) (mΩ) | 25 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 92 |
| Qg typ (nC) | 19.6 |
| Qoss (nC) | 221 |
| Ron * Qoss (FOM) | 221 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1439 |
| Coss (Typical) (pF) | 196 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| PQN88-IP, DSC | 8x8 | 10 |
アプリケーション・ブロック図
 | 800V～48V DCXシステム 800V DCバスを48V DCに効率的に変換し、電気的絶縁を実現することで、高密度かつ高効率な電力供給を可能にします。 |
その他アプリケーション
- AIデータセンター向け電源
- 通信機器向け電源
- 太陽光発電（PV）インバータ
- 無停電電源装置（UPS）
- 電気自動車（e-Mobility）充電システム
- バッテリエネルギー貯蔵システム（BESS）