特長
- Optimized for high-current point-of-load applications
- Power supply: 2.5 V ≤ VDD ≤ 5.5 V
- Input voltage range: 1.0 V ≤ VIN ≤ VDD
- 22 mΩ RDSON while supporting 4.0 A
- Output voltage slew-rate control by external capacitor
- Over-current & Over-temperature protection
SLG59M611V
説明
The SLG59M611V is a 22 mΩ 4 A single‑channel load switch that is able to switch 1 to 5.5 V power rails. The product is packaged in an ultra‑small 1.5 mm x 2.0 mm package.
アプリケーション
- Notebook Power Rail Switching
- Tablet Power Rail Switching
- Smartphone Power Rail Switching
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SLG59M611V | Obsolete | N/A | Out of Stock | Package | Tape & Reel | 1 | Yes | |
| SLG59M611VTR | Obsolete | N/A | Out of Stock | Package | 8# |
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- ガイド日本語GreenFET負荷スイッチは、低電圧用途での効率的な高側電力制御を目的に設計されています。これらのデバイスは低RDS(on)、コンパクトなパッケージ、統合保護機能を組み合わせ、ディスクリート設計に代わり、PCBスペースを削減しシステムの信頼性を向上させます。このガイドは、エンジニアが迅速に主要なパラメータを比較し、自らの用途に最適なデバイスを選択できるようにします。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 集積化パワースイッチ（IPS）は、過電流保護、過熱保護、短絡保護などの内蔵保護回路を備え、信頼性の高い動作を実現する。VDDとVDを印加して内部ステートマシンを起動し、ON端子の制御で出力電圧の立ち上がり時間（tRISE）を調整する。ディスチャージ回路によりOFF時の電圧低下を加速。アクティブ過電流保護はVS端子電圧を監視し電流を制限し、過熱保護は125℃でFETを遮断。短絡保護は過大電流を制限し、VSが250mV以上で解除される。逆流防止は逆直列接続のNチャネルMOSFETで実現し、電圧降下を抑える。タイミングチャートやブロック図で動作を示す。
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- ガイド日本語GreenFET負荷スイッチは、低電圧用途での効率的な高側電力制御を目的に設計されています。これらのデバイスは低RDS(on)、コンパクトなパッケージ、統合保護機能を組み合わせ、ディスクリート設計に代わり、PCBスペースを削減しシステムの信頼性を向上させます。このガイドは、エンジニアが迅速に主要なパラメータを比較し、自らの用途に最適なデバイスを選択できるようにします。
マニュアル、ガイド (1)
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 集積化パワースイッチ（IPS）は、過電流保護、過熱保護、短絡保護などの内蔵保護回路を備え、信頼性の高い動作を実現する。VDDとVDを印加して内部ステートマシンを起動し、ON端子の制御で出力電圧の立ち上がり時間（tRISE）を調整する。ディスチャージ回路によりOFF時の電圧低下を加速。アクティブ過電流保護はVS端子電圧を監視し電流を制限し、過熱保護は125℃でFETを遮断。短絡保護は過大電流を制限し、VSが250mV以上で解除される。逆流防止は逆直列接続のNチャネルMOSFETで実現し、電圧降下を抑える。タイミングチャートやブロック図で動作を示す。
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (1)
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A detailed overview of the GreenFET product line, focusing on the advantages of Renesas’ proprietary CuFET™ architecture and its impact on performance, size, and reliability. The presentation covers key specifications such as low RDS(on), high continuous current capability, and integrated protection functions including current limiting, thermal shutdown, and reverse‑current blocking. The session also outlines how GreenFET devices streamline power sequencing and reduce external component requirements.
