SLG59H1313CTR

SLG59H1313Cは、23mΩという低いRDSON内蔵nFETを備え、2.5Vdcから5.5Vdcの低 電圧動作システムを29Vdcまでの電圧異常から保護します。 また、クランプ回路を内蔵し、最大100Vのサージ電圧から下流部品を保護します。 SLG59H1313Cは、入力電圧がOVPスレッショルドを超えると内蔵 nFETをオフにする高速な過 電圧応答時間50ns（標準値）を特長としています。 OVPスレッショルドは、オプションの外付け抵抗で4V～20Vの任意の電圧に調整できます。 過熱 保護機能は、145 °C（標準値）でデバイスの電源を切ります。 また、SLG59H1313Cは、電流が7A（標準値）を超えるとスイッチが切れる過 電流保護機能を搭載しており、デバイスの過熱をさらに防止します。 SLG59H1313Cはオープンドレイン出力のPGピンを内蔵しています。V_{IN_min} < V_IN < V_OVLOでスイッチがオンの場合、PGはローで駆動となり、良好な電源入力を示しますが、そうでない場合はハイインピーダンスとなります。