特長
- 2種類のUVLO（低電圧ロックアウト）特性を備えた製品ラインアップ
- RV1S9993A：VUVLO = 最大9.6V
- RV1S9994A：VUVLO = 最大13.4V
- 長い沿面距離 （最小15mm、 LSDIP8パッケージ採用）
- ピーク出力電流（最大10A）
- 高速スイッチング（tPLH、tPHL = 最大95ns）
- パルス幅歪み（|tPLH - tPHL| = 最大35ns）
- 高いコモンモード過渡耐性（|CMH|、|CML| = 100kV/μs以上）
- 高い動作周囲温度（最大125°C）
- 高い入出力間絶縁耐圧（BV = 7500Vr.m.s.）
- エンボス・テーピング対応品：
- RV1S9993ACCSP-10Yx#KC0：1000個／リール
- RV1S9994ACCSP-10Yx#KC0：1000個／リール
- 鉛フリー対応品
- 安全規格
- UL：UL1577、Double protection
- VDE：DIN EN IEC 60747-5-5、DIN EN IEC 62368-1、強化絶縁（オプション対応いたします）
説明
RV1S9993AおよびRV1S9994Aは、入力側にAlGaAs LEDを、出力側にフォトダイオードと信号処理回路およびパワーMOSFETを同一チップ上に集積した光アイソレータ（フォトカプラ）です。 本製品は、高いコモンモード過渡耐性（CMTI）、高速スイッチング、および最大周囲温度TA = 125°Cにおける高い信頼性を実現するよう設計されています。 また、GBT、GaN FET、SiC FET、SiパワーMOSFETのゲート駆動に適しています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Parametric Subcategory | IGBT Drive |
| Channels (#) | 1 |
| Peak Output Current IPK (A) | 10 |
| Supply Voltage (V) | 10 - 30 |
| Isolation Voltage (Vrms) | 7500 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125 |
| DC IFLH max. (mA) | 8 |
| SW tPLH, tPHL max. (ns) | 95 |
| SW PWD max. (ns) | 35 |
| SW PDD max. (ns) | 35 |
| CMTI min. (kV/µs) | 100 |
| UVLO | Yes |
| CLAMP | No |
| Desat | No |
| Creepage Distance (mm) | 15 |
| Safety Standard UL (UL1577) | Approved |
| Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5) | Approved |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| LSDIP8 | 6.7 x 13.8 x 3.95 | 8 |
製品比較
 | | |
| RV1S9994A | RV1S9993A | |
| Channels (#) | 1 | 1 |
| Isolation Voltage (Vrms) | 7500 | 7500 |
| Supply Voltage | 10 - 30 | 10 - 30 |
| CMTI min. (kV/µs) | 100 | 100 |
| VCC-VEE (Max) (V) | 35 | 35 |