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2.5 A 出力,高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 5 ピン SSOP(LSSO5, 8.2 ㎜沿面)フォトカプラ

パッケージ情報

Lead Count (#) 5
Pkg. Code pkg_20044
Pkg. Type SSOP
Pkg. Dimensions (mm) 2.5 x 7.5 x 2.1

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US) 5A002
HTS (US) 8541.49.8000
RoHS (RV1S9231ACCSP-10YC#KC0) 英語日本語

製品スペック

Lead Count (#) 5
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
Country of Assembly Japan
Country of Wafer Fabrication Japan
Price (USD) | 1ku 0.64123
Breakdown Voltage (BV) (kV rms) 5
CMTI min. (kV/µs) 50
Carrier Type Tape & Reel
Channels (#) 1
Creepage Distance (mm) 8.2
DC IFLH max. (mA) 5.2
IFLH (Max) (mA) 5.2
IOL/IOH (Peak) (A) 2.5
Isolation Voltage (Vrms) 5000
Lead Compliant Yes
Length (mm) 2
Longevity 2030 12月
MOQ 3500
Peak Output Current IPK (A) 2.5
Pkg. Dimensions (mm) 2 x 8 x 2.1
Pkg. Type SSOP
SW PDD max. (ns) 90
SW PWD max. (ns) 75
SW tPLH, tPHL max. (ns) 175
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1) Approved
Safety Standard UL (UL1577) Approved
Supply Voltage (V) 15 - 30
Tape & Reel No
Target applications AC Servo, Industrial inverter, Solar inverter, Uninterruptible Power Supply (UPS), IH(Induction Heating), IGBT Gate Driver
Thickness (mm) 2.1
VCC-VEE (Max) (V) 35
Width (mm) 8
tPHL (Max) (μs) 0.175
tPLH (Max) (μs) 0.175
tf (Typical) (µs) 0.04

説明

RV1S9231A は,入力側にAlGaAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光IC を用いた高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR),大電流,高速スイッチングを実現し,IGBT のゲート駆動用に最適です。