特長
- 700V 150mΩ SuperGaN FETを内蔵
- 一般的な65W以上の設計において、230VACでスタンバイ消費電力75mW未満
- 適応マルチモード制御（PWM/PFM/バースト）およびQR/CCM動作
- TL431およびサードパーティ製二次側コントローラに対応
- 大電流スイッチング向けに最適化されたGaNゲートドライブ
- 最大270kHzのスイッチング周波数に対応
- 補助巻線電圧の正負両極性センシングにより、EMIを改善しトランス設計を簡素化
- 内蔵保護機能：入力電圧低下／復帰検出、出力短絡、出力過電圧、過電流、フォトカプラ故障など
- ユーザ調整可能な内部過熱保護しきい値
説明
RRW22101は、700V SuperGaN FETと高性能なAC/DC一次側デジタルフライバックコントローラを統合したSystem-in-Package（SiP）製品であり、二次側制御（SSR）に対応しています。 65W以上の高出力アダプタ向けに設計されており、TL431シャントレギュレータおよびサードパーティ製二次側コントローラとの組み合わせによる動作をサポートし、幅広いアプリケーションに対応します。
本デバイスは固定周波数準共振（QR）モードで動作し、PWM（パルス幅変調）、PFM（パルス周波数変調）、バーストモード動作を含む適応マルチモード制御（MMC）を採用しています。 この制御アーキテクチャにより、効率を向上させるとともに、EMIを低減し、負荷条件の変化にわたって可聴ノイズを排除します。
TL431またはその他の二次側コントローラと組み合わせることで、RRW22101は高精度な定電圧（CV）制御、高速な動的負荷応答を実現し、一般的な高出力設計において230VACでのスタンバイ消費電力を75mW未満に抑えることができます。 さらに、内蔵保護機能と補助巻線電圧の正負両極性センシングにより、トランス設計を簡素化し、EMI性能を向上させるとともに、システムコストの低減に貢献します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Topology Characteristic | SSR Flyback |
| Control Mode | Peak Current Mode DCM/CCM |
| UVLO Rising (V) | 15.3 |
| UVLO Falling (V) | 7.5 |
| VBIAS (Max) (V) | 42 |
| PWMs (#) | 1 |
| Output Power Max (W) | 100 |
| Switching Frequency (KHz) | 70 - 270 |
| Controller / Integrated | Integrated |
| Advanced Features | SuperGaN Integrated |
| Simulation Model Available | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
| Qualification Level | Standard |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| QFN8x8 | 8 x 8 x 0.85 | 22 |
製品比較
アプリケーション
- ノートPC、タブレット、高機能ポータブル機器向け高出力急速充電AC/DCアダプタ
- TV、ネットワーク機器、家電、補助電源向け電源
Renesas Boards & Kits
100W、24V 二次側制御（SSR） GaN-SiP 評価ボード
EBC10320は、700V GaN-SiP技術を採用した24V/100W評価ボードです。汎用シャントレギュレータと組み合わせてRRW22101を動作させる構成で、その性能を検証できるよう設計されています。 この構成により、産業用途から民生用途まで幅広い電源アプリケーションに対応可能です。
RRW22101は当社の同期整流（SR）コントローラ（RRW43010 および iW610）との組み合わせで最適化されており、最大95%の高効率を発揮するとともに、CoC V5 Tier 2およびDOE Level VIIの規格要件に適合します... 続きを読む
