特長
- VDD電圧に関係なく、最大14Vまでの独立したハイサイドおよびローサイドのTTLロジック入力
- 3.3/5V CMOSロジックレベル互換入力段
- 高電圧用途向け100V PH定格電圧
- GaN/MOSFET向け2Aソース電流および5.3Aシンク電流のピーク駆動電流
- ターンオンとターンオフの速度を個別に調整
- 高速伝搬遅延（標準値19ns/17ns）
- 優れた伝搬遅延マッチング（標準値1.5ns）
- 4.5V～5.5Vバイアス電源（UVLO機構付き）
- 内蔵された入力・出力プルダウン抵抗器
- 標準値4.5ns立上がり時間、標準値2.7ns立下がり時間（負荷容量1nF時）
- 小型パッケージ：WLCSP12-2×2、FCQFN14-3×3
RRP6815X Typical Application Diagram
説明
RRP68151は5V電源駆動の高周波ハーフブリッジドライバーであり、エンハンスメントモードのGaN FETおよび低しきい値NチャネルMOSFET向けに最適化されています。 2Aのソース電流と5.3Aのシンク電流能力を提供し、最大100V DCのスイッチングノードをサポートします。 ドライバーのPWM入力は3.3V/5V CMOSロジックに対応し、VDD電源とは独立して最大14Vまで耐えられます。 ハイサイドバイアス電圧はブートストラップ技術を採用し、GaN FETの最大ゲートソース定格を超えないよう内部で5.4Vにクランプされます。 5Vの動作電源は、コントローラとの電力共有を簡素化します。
RRP6815xドライバーファミリーの一部として、このRRP68151は関連製品間で一貫した設計と性能を維持しています。 RRP68150とは異なり、統合されたアンチ・シュートスルー保護は含まれておらず、設計者が必要に応じて独自の外部タイミングや保護方式を実装できます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 104 |
| VBIAS (Max) (V) | 5.5 |
| Peak Pull-up Current (A) | 2 |
| Peak Pull-down Current (A) | 5.3 |
| Fall Time | 2.7ns |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Input Logic Level | 3.3/5V CMOS |
| Qualification Level | standard |
| Simulation Model Available | iSim |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 3.0 x 3.0 x 0.75 | 14 | 0.5 |
| WLCSP-TKCURDL | 1.9 x 1.9 x 0.50 | 6 | 0.4 |
アプリケーション
- 通信/サーバー向けハーフブリッジおよびフルブリッジDC/DCコンバータ
- ハーフブリッジおよびフルブリッジのコンバータ
- 同期整流型降圧コンバータ
- パワーモジュール
Renesas Boards & Kits
RTKP6815xDE000x0BC
アクティブ
バックシステム用GaN FETおよびMOSFET搭載ハーフブリッジドライバ評価ボード「RRP6815x」
RTKP6815xDE000x0BC評価ボードは、2Aのソースおよび5.3Aのシンクゲート駆動能力を提供するRRP68150およびRRP68151ハーフブリッジドライバの迅速かつ徹底的な評価を容易にします。 RTKP6815xDE00000BCボードはGaN FETを効果的に駆動し、一方RTKP6815xDE00010BCボードは降圧システム構成においてシリコンFETを駆動します。 各評価ボードには、2つのGaN FETまたは2つのロジックレベルNチャネルMOSFETとインダクタ・コンデンサ（LC）フィルタが統合されており、現実的な動作条件下での完全なシステムレベル評価を可能にします。
推奨ドキュメント:
