パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | QFN |
| Pkg. Code: | L5A |
| Lead Count (#): | 14 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 3.0 x 3.0 x 0.75 |
| Pitch (mm): | 0.5 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| HTS (US) | 8542.39.0090 |
| ECCN (US) |
製品スペック
| Lead Count (#) | 14 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pitch (mm) | 0.5 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 3.0 x 3.0 x 0.75 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 104 |
| Charge Pump | No |
| Fall Time | 2.7ns |
| Input Logic Level | 3.3/5V CMOS |
| Length (mm) | 3 |
| MOQ | 6000 |
| Peak Pull-down Current (A) | 5.3 |
| Peak Pull-up Current (A) | 2 |
| Pkg. Type | QFN |
| Price (USD) | $0.95 |
| Qualification Level | standard |
| Rise Time (μs) | 4.5 |
| Simulation Model Available | isim |
| Thickness (mm) | 0.75 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 17 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 19 |
| VBIAS (Max) (V) | 5.5 |
| Width (mm) | 3 |
RRP68151 に関するリソース
説明
RRP68151は5V電源駆動の高周波ハーフブリッジドライバーであり、エンハンスメントモードのGaN FETおよび低しきい値NチャネルMOSFET向けに最適化されています。 2Aのソース電流と5.3Aのシンク電流能力を提供し、最大100V DCのスイッチングノードをサポートします。 ドライバーのPWM入力は3.3V/5V CMOSロジックに対応し、VDD電源とは独立して最大14Vまで耐えられます。 ハイサイドバイアス電圧はブートストラップ技術を採用し、GaN FETの最大ゲートソース定格を超えないよう内部で5.4Vにクランプされます。 5Vの動作電源は、コントローラとの電力共有を簡素化します。
RRP6815xドライバーファミリーの一部として、このRRP68151は関連製品間で一貫した設計と性能を維持しています。 RRP68150とは異なり、統合されたアンチ・シュートスルー保護は含まれておらず、設計者が必要に応じて独自の外部タイミングや保護方式を実装できます。