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パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | QFN |
| Pkg. Code: | L5A |
| Lead Count (#): | 14 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 3.0 x 3.0 x 0.75 |
| Pitch (mm): | 0.5 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| HTS (US) | 8542.39.0090 |
| ECCN (US) |
製品スペック
| Protection Features | Anti-Shoot-Through Protection |
| Lead Count (#) | 14 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pitch (mm) | 0.5 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 3.0 x 3.0 x 0.75 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 104 |
| Charge Pump | No |
| Fall Time | 2.7ns |
| Input Logic Level | 3.3/5V CMOS |
| Length (mm) | 3 |
| MOQ | 6000 |
| Peak Pull-down Current (A) | 5.3 |
| Peak Pull-up Current (A) | 2 |
| Pkg. Type | QFN |
| Price (USD) | $0.95 |
| Qualification Level | standard |
| Rise Time (μs) | 4.5 |
| Simulation Model Available | isim |
| Thickness (mm) | 0.75 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 17 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 19 |
| VBIAS (Max) (V) | 5.5 |
| Width (mm) | 3 |
RRP68150 に関するリソース
説明
RRP68150は5V電源駆動の高周波ハーフブリッジドライバーであり、エンハンスメントモードのGaN FETおよび低しきい値NチャネルMOSFET向けに最適化されています。 2Aのソース電流と5.3Aのシンク電流能力を提供し、最大100V DCのスイッチングノードをサポートします。 ドライバーのPWM入力は3.3V/5V CMOSロジックに対応し、VDD電源とは独立して最大14Vまで耐えられます。 ハイサイドバイアス電圧はブートストラップ技術を採用し、GaN FETの最大ゲートソース定格を超えないよう内部で5.4Vにクランプされます。 5Vの動作電源は、コントローラとの電力共有を簡素化します。
RRP6815xドライバーファミリーの一部として、RRP68150は関連製品間で一貫した設計と性能を維持しています。 アンチシュートスルー保護を統合しており、ハイサイドFETとローサイドFETの同時導通を防止し、動作を保護します。