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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
5V、7.2Aソース、5.3Aシンク、高周波GaN/MOSFET、シングル・ローサイド・ドライバ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SCDFN
Pkg. Code:L4J
Lead Count (#):6
Pkg. Dimensions (mm):2.0 x 2.0 x 0.75
Pitch (mm):0.7

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (RRP63175-NM0)ダウンロード
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Pkg. TypeSCDFN
Carrier TypeReel
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Country of AssemblyTAIWAN
Country of Wafer FabricationTAIWAN
Drivers (#)1
Fall Time0.004
IS (mA)5.9
Input Signal Range0 - 3.3/5
Input Supply Range (V)5.5
Input Voltage (Max) (V)6
Lead Count (#)6
Length (mm)2
MOQ1000
Output Signal Range0 - 5.5
Pb (Lead) FreeYes
Pb Free CategoryPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3
Peak Output Current IPK (A)7.2
Pitch (mm)0.7
Pkg. Dimensions (mm)2.0 x 2.0 x 0.75
Price (USD)$0.6776
Rise Time (μs)0.004
Simulation Model AvailableiSim
Thickness (mm)0.75
Turn Off Delay (ns)5
Turn On Delay (ns)5
Width (mm)2

説明

RRP63175は、EモードGaNおよびロジックレベルMOSFET用の高周波シングルローサイドドライバです。 このデバイスは、5V、7.2Aのソース、および5.3Aのシンクとして機能し、3.3Vおよび5VのロジックレベルのPWM入力信号をサポートします。

伝搬遅延はわずか5ns(typ)で、RRP63175は高周波スイッチングアプリケーションに最適です。 最大30MHzの周波数で動作可能です。