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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)

ルネサスのローサイドFETドライバは、高速かつ高精度な動作性能を発揮し、負荷の大きい容量性負荷に対してもピーク電流を供給できます。 高速スイッチングと低伝播遅延を実現する設計により、大容量の容量性負荷を伴うアプリケーションにも、信頼性が高く効率的な駆動を提供します。

高電力密度

高電力密度

シングルエンドのローサイド駆動構成において、大容量MOSFETゲートを高速かつクリーンにスイッチングするため、低伝播遅延で強力なソース電流/シンク電流を供給するとともに、基板レイアウトを容易にする小型パッケージオプションも備えています。

設計の柔軟性

設計の柔軟性

広い入力電圧範囲と高いスイッチング周波数に対応しており、PWMコントローラと直接接続できるローサイド構成で、SiおよびGaN MOSFETを幅広い用途で使用できます。

堅牢な性能

堅牢な性能

UVLOやOTPなどの保護機能を内蔵し、産業、車載、インフラ用途においても安定した信頼性の高い動作を確保します。

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