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64Mb 低消費電力SRAM (4M word × 16bit / 8M word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル: View CAD Model
Pkg. Type: TFBGA
Pkg. Code: pkg_11618
Lead Count (#): 48
Pkg. Dimensions (mm): 8.5 x 7.5 x 1.2
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
ECCN (US) 3A991.b.2.a
HTS (US) 8542.32.0041
RoHS (RMWV6416AGBG-5S2#KC0) 英語日本語
Pb (Lead) Free Yes

製品スペック

Carrier Type Embossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Country of Assembly JAPAN TAIWAN
Country of Wafer Fabrication JAPAN
Access Time (ns) 55
Density (Kb) 64000
Lead Compliant Yes
Lead Count (#) 48
Length (mm) 8
Longevity 2032 12月
MOQ 1000
Memory Capacity (kbit) 64000
Memory Density 64M
Organization 4M x 16
Organization (bit) x 16
Organization (kword) 4000
Pb (Lead) Free Yes
Pkg. Dimensions (mm) 8 x 8 x 1.2
Pkg. Type FBGA(48)
Price (USD) $35.25264
Remarks Dual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement Remark Generation change with die shrink from 0.15um to 0.11um process
Supply Voltage (V) 2.7 - 3.6
Tape & Reel No
Temp. Range (°C) -40 to +85
Thickness (mm) 1.2
Width (mm) 8

説明

RMWV6416Aシリーズは、4,194,304ワード × 16ビット構成の64MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMWV6416Aシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMWV6416Aシリーズは、48 ピンの薄型パッケージ(TSOP/12mm×20mm [ピンピッチ 0.50mm])、52ピンの超薄型パッケージ(µTSOP/10.79mm × 10.49mm [ピンピッチ 0.40mm])、48ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mmボールピッチ)に収納されており、高密度実装に最適です。