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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
32Mb 低消費電力SRAM (2M word × 16bit / 4M word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:FBGA(48)
Pkg. Code:pkg_11618
Lead Count (#):48
Pkg. Dimensions (mm):8 x 8 x 1.2
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyJAPAN, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)55
Density (Kb)32000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)48
Length (mm)8
Longevity2032 12月
MOQ1
Memory Capacity (kbit)32000
Memory Density32
Organization2M x 16
Organization (bit)x 16
Organization (kword)2000
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)8 x 8 x 1.2
Pkg. TypeFBGA(48)
Price (USD)$32.60826
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)8

説明

RMLV3216Aシリーズは、2,097,152ワード × 16ビット構成の32MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV3216Aシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV3216Aシリーズは、48ピンの薄型パッケージ(TSOP/12mm×20mm [ピンピッチ 0.50mm])、52ピンの超薄型パッケージ(µTSOP/10.79mm × 10.49mm [ピンピッチ 0.40mm])、48ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mmボールピッチ)に収納されており、高密度実装に最適です。