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パッケージ情報

CADモデル: View CAD Model
Pkg. Type: TFBGA
Pkg. Code: pkg_846
Lead Count (#): 48
Pkg. Dimensions (mm): 9.5 x 8 x 1.2
Pitch (mm): 0.75

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
ECCN (US) 3A991.b.2.a
HTS (US) 8542.32.0041
RoHS (RMLV1616AGBG-5U2#AC0) 英語日本語
Pb (Lead) Free Yes

製品スペック

Longevity 1999 1月
Pkg. Type TFFBGA
Carrier Type Tray
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Country of Assembly JAPAN TAIWAN
Country of Wafer Fabrication JAPAN
Access Time (ns) 55
Density (Kb) 16000
Lead Compliant Yes
Lead Count (#) 48
Length (mm) 10
MOQ 1
Memory Capacity (kbit) 16000
Memory Density 16M
Organization 1M x 16
Organization (bit) x 16
Organization (kword) 1000
Pb (Lead) Free Yes
Pkg. Dimensions (mm) 10 x 8 x 1.2
Remarks Dual Chip Select (CS1#, CS2)
Supply Voltage (V) 2.7 - 3.6
Tape & Reel No
Temp. Range (°C) -40 to +85
Thickness (mm) 1.2
Width (mm) 8

説明

RMLV1616A-U シリーズは、1,048,576 ワード × 16 ビット構成の非同期16Mbit 低消費電力SRAM です。

ルネサス独自のAdvanced LPSRAM 技術を採用し、一般的なECC 搭載SRAM に比べ、優れたソフトエラー耐量を有しております。したがって、RMLV1616A-U シリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

また、RMLV1616A-U シリーズは、48 ピンの薄型パッケージ( TSOP / 12mm × 20mm [ピンピッチ0.50mm] )、48 ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mm ボールピッチ)に収納されており、高密度実装に最適です。