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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
8Mb 低消費電力SRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(2)
Pkg. Code:pkg_11889
Lead Count (#):52
Pkg. Dimensions (mm):11 x 9 x 1
Pitch (mm):0.4

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
RoHS (RMLV0816BGSD-4S2#AA1)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyTAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)45
Density (Kb)8000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)52
Length (mm)11
Longevity2032 12月
MOQ1
Memory Capacity (kbit)8000
Memory Density8
Organization512K x 16
Organization (bit)x 8 / x 16
Organization (kword)1000
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)11 x 9 x 1
Pkg. TypeTSOP(2)
Price (USD)$5.64786
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement RemarkAssembly site transfer to serve the objective of stable supply
Supply Voltage (V)2.4 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1
Width (mm)9

説明

RMLV0816BGSDは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSDは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSDは、52ピンの超薄型パッケージ(µTSOP/10.79mm × 10.49mm [ピンピッチ 0.40mm])に収納されており、高密度実装に最適です。