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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
8Mb 低消費電力SRAM (512k word × 16bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:FBGA(48)
Pkg. Code:pkg_11618
Lead Count (#):48
Pkg. Dimensions (mm):8 x 8 x 1.2
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyCHINA, JAPAN, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)45
Density (Kb)8000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)48
Length (mm)8
Longevity2032 12月
MOQ1
Memory Capacity (kbit)8000
Memory Density8
Organization512K x 16
Organization (bit)x 16
Organization (kword)512
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)8 x 8 x 1.2
Pkg. TypeFBGA(48)
Price (USD)$5.71251
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement RemarkChange in generation from 0.15 um to 0.11 um
Supply Voltage (V)2.4 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)8

説明

RMLV0816BGBGは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGBGは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGBGは、48ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mmボールピッチ)に収納されており、高密度実装に最適です。