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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
8Mb 低消費電力SRAM (1024k word × 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(44)
Pkg. Code:pkg_11787
Lead Count (#):44
Pkg. Dimensions (mm):18 x 10 x 1.2
Pitch (mm):0.8

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)3A991.b.2.a
HTS (US)8542.32.0041
RoHS (RMLV0808BGSB-4S2#HA0)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyCHINA, MALAYSIA, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)45
Density (Kb)8000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)44
Length (mm)18
Longevity2032 12月
MOQ1000
Memory Capacity (kbit)8000
Memory Density8
Organization1M x 8
Organization (bit)x 8
Organization (kword)1000
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)18 x 10 x 1.2
Pkg. TypeTSOP(44)
Price (USD)$5.57106
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement RemarkChange in generation from 0.15 um to 0.11 um
Supply Voltage (V)2.4 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)10

説明

RMLV0808BGSBは、1,048,576ワード × 8ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0808BGSBは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0808BGSBは、44ピンの薄型パッケージ(TSOP/11.76mm×18.41mm [ピンピッチ 0.80mm])に収納されており、高密度実装に最適です。