特長
- 3V 単一電源：2.4V ～ 3.6V
- アクセス時間
-電源電圧 2.7V～3.6V 時：45ns (max.)
-電源電圧 2.4V～2.7V 時：55ns (max.) - 消費電流
-スタンバイ時：0.45µA (typ.) - アクセスとサイクル時間が同じです。
- データ入力と出力が共通端子です。
-スリーステート出力 - すべての入出力が、TTLコンパチブルです。
- バッテリバックアップ動作が可能です。
説明
RMLV0808BGSBは、1,048,576ワード × 8ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0808BGSBは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0808BGSBは、44ピンの薄型パッケージ（TSOP/11.76mm×18.41mm [ピンピッチ 0.80mm]）に収納されており、高密度実装に最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Memory Density | 8M |
| Organization | 1M x 8 |
| Access Time (ns) | 45 |
| Supply Voltage (V) | - |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TSOP(44) | 18 x 10 x 1.2 | 44 |