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4Mbit 低消費電力SRAM (256-kword × 16-bit)

パッケージ情報

Pkg. Code pkg_11787
Lead Count (#) 44
Pkg. Type TSOP(44)
Pkg. Dimensions (mm) 18.41 x 10.16 x 1.2

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
ECCN (US) 3A991
HTS (US) 8542.32.0041
RoHS (RMLV0416EGSB-4S2#AA1) 英語日本語
Pb (Lead) Free Yes

製品スペック

Carrier Type Tray
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Price (USD) | 1ku 3.11296
Access Time (ns) 45
Density (Kb) 4000
Lead Compliant Yes
Lead Count (#) 44
Length (mm) 18
Longevity 2032 12月
MOQ 1
Memory Capacity (kbit) 4000
Memory Density 4M
Organization 256K x 16
Organization (bit) x 16
Organization (kword) 256
Pb (Lead) Free Yes
Pkg. Dimensions (mm) 18 x 10 x 1.2
Pkg. Type TSOP(44)
Remarks Dual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement Remark Back-end site change etc
Supply Voltage (V) 2.7 - 3.6
Tape & Reel No
Temp. Range -40 to +85°C
Thickness (mm) 1.2
Width (mm) 10

説明

RMLV0416Eシリーズは、262,144ワード × 16ビット構成の4MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってRMLV0416Eシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な44ピンTSOP(II)、48ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mmボールピッチ)が用意されています。