メインコンテンツに移動
750V – 300A – IGBT Chip

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:Sawn Wafer
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Pb (Lead) FreeNo
Moisture Sensitivity Level (MSL)
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Pkg. TypeSawn Wafer
Pb (Lead) FreeNo
ApplicationInverter
Channels (#)1
IC (A)300
Ic (Peak) (A)900
Lead CompliantNo
MOQ1
Nch/PchNch
Qualification LevelAutomotive
Simulation Model AvailableYes
Tape & ReelNo
TechnologyAE4
Tj (°C)175
VCE (sat) (V)1.4
VCES (V)750
VGE (Off) (V)6.5
tf (Typical) (µs)0.122
tsc (μs)6

説明

ルネサスの車載用AE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。本750V/300A IGBTは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。