特長
- コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.8V（typ.） （IC = 50A, VGE = 15V, Tc = 25 °C時）
- 高速スイッチング
- 短絡耐量（10µs min.）
説明
RJP1CS04DWSは1250V、50Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、インバータアプリケーションに使用できます。 Sawnウェハパッケージで提供されます。
アプリケーション
- インバータ
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RJP1CS04DWS-80#W0 | Obsolete | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN RoHS:JA | Sawn | No |