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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
800Gbps対応統合コヒーレント受信機向け 2チャネル 128Gbaudリニアトランスインピーダンスアンプ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:WAFER
Pkg. Code:DICEW
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):0.0 x 0.0 x 0.0
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Pkg. TypeWAFER
Lead Count (#)0
Carrier TypeWFP
Pb (Lead) FreeYes
Pb Free Categorye3 Sn
Temp. Range (°C)-5 to 95°C
3dB Bandwidth (GHz)84
Application800G and beyond coherent systems with 128Gbaud QAM
Channels (#)2
Country of Wafer FabricationUSA
Data Rate Max (Gbps)128
FunctionLinear TIA
MOQ110
Peaking Frequency (Typical) (GHz)69
Pkg. Dimensions (mm)0.0 x 0.0 x 0.0
Price (USD)$203.595
Qty. per Carrier (#)0
Qty. per Reel (#)0
Tape & ReelNo

説明

RG8G31223は、800G以上対応の統合コヒーレント受信機(ICR)向け128Gbaud 2チャネルリニアトランスインピーダンスアンプ(TIA)です。 本デバイスは、IチャネルおよびQチャネル用の2つのTIA信号経路を内蔵しています。 高性能・低消費電力・コンパクト設計により、マイクロICRやIC-TROSAなどの光サブアセンブリを、小型フォームファクタ(SFF)統合光モジュールに搭載可能です。