パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | uSO8-FL |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | 8 |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| RoHS (RBE210N10R1SZN2#HB0) | 英語日本語 |
製品スペック
| Pkg. Type | uSO8-FL |
| Lead Count (#) | 8 |
| Carrier Type | Embossed Tape |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Channels (#) | 1 |
| Ciss (Typical) (pF) | 930 |
| Country of Assembly | CHINA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| Function | Power MOSFETs |
| Gate Level | Standard |
| ID (A) | 20 |
| Id max @ 25°C (A) | 20 |
| Lead Compliant | No |
| MOQ | 3000 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Nch/Pch | Nch |
| Pch (W) | 37 |
| Qg typ (nC) | 16 |
| Qualification Level | Industrial |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 21 |
| RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) | 18.1 |
| Series Name | REXFET-1 |
| Simulation Model Available | Yes |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| Tape & Reel | No |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| VGSS (V) | 20 |
| Vgs (off) (Max) (V) | 4 |
RBE210N10R1SZN2 に関するリソース
説明
RBE210N10R1SZN2 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、3x3 μSO8-FLパッケージで提供されます。 超小型パッケージは従来のDPAKより約90%小さく、基板スペースの削減と設計の柔軟性向上に貢献します。 さらに、優れた半田付け性を提供し、信頼性の高い光学検査をサポートするウェッタブル・フランクリードを採用しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
