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RBA250N04AHPF-4UA01

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Nch Power MOSFET 40V 250A 0.85mohm TO-263-7 / D2PAK-7 for Automotive

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特長

  • Super low on-state resistance
    • RDS(on) = 0.85 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 125A)
  • Low input capacitance
    • Ciss = 12900pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
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説明

The RBA250N04AHPF-4UA01 is an N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed for high current switching applications.

パラメータ

属性値
Qualification LevelAutomotive
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTO-263-7 / D2PAK-7
Gate LevelStandard
VDSS (Max) (V)40
ID (A)250
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)0.85
Pch (W)348
Ciss (Typical) (pF)12900
Qg typ (nC)245
Series NameANL3

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
MP-25ZU10 x 9 x 4.657

アプリケーション・ブロック図

Electric Power Steering System Block Diagram
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 データシート
Part NumberStatusSamplesStockPackageBudgetary Price (USD)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) FreeCountry of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RBA250N04AHPF-4UA01#GB0ActiveAvailableIn StockMP-25ZU1ku | $2.2367#Embossed Tape1YesMALAYSIAJAPAN

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フィルター

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    マニュアル、ガイド (2)

  1. ガイド
    英語
    Recommended Mounting Pad for Renesas Power MOSFETs
    PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日
    The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
  2. ガイド
    日本語
    弊社の車載向けアナログ＆パワー製品に関しての使用上のご注意
    PDF 596 KB APT167-0202 2016年7月21日

    アプリケーションノート、ホワイトペーパー (4)

  1. アプリケーションノート
    英語
    Power MOSFETs TOLL and TOLT Comparison of Thermal Performance
    PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日
    Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
  2. アプリケーションノート
    英語
    Power MOSFETs: How Does the Frequency Affect Capacitance Measurement?
    PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日
    Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
  3. アプリケーションノート
    日本語
    パワーMOS FETアプリケーションノート
    PDF 2.65 MB R07AN0006JJ0110 Rev.1.10 English 2022年12月05日
    AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
  4. アプリケーションノート
    日本語
    パワーMOSFET・IGBT 使用上の注意事項
    PDF 633 KB R07ZZ0010JJ0602 Rev.6.02 English 2021年4月16日
    AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
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